几种MOS开关驱动电路优缺点讨论

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 楼主| wenlibin 发表于 2010-4-29 11:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 wenlibin 于 2010-4-29 13:04 编辑

下图中是我画的三种驱动电路,和大家讨论一下每个电路的优缺点。
个人认为第一种半桥驱动简单,只有两个管,但负载电压只是直流电压的一半;
第二种全桥驱动复杂一些,有四个管,但负载电压等于直流电压;
第三种比前两个都简单,两个管,共地不需要隔离电源,负载电压等于直流电压,对死区应该没有要求。
但是否第三种可以替换前两种呢?
个人一点理解,如有错误请电家指正。:)

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伟林电源 发表于 2010-4-29 12:54 | 显示全部楼层
一、半桥
二、全桥
三、推挽

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伟林电源 发表于 2010-4-29 12:56 | 显示全部楼层
三个之间是不可以替换的。

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maychang 发表于 2010-4-29 13:00 | 显示全部楼层
推挽对死区的要求与半桥全桥是一样的,而且变压器的绕制复杂,变压器效率也稍低。
当然,驱动稍容易。

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 楼主| wenlibin 发表于 2010-4-29 13:04 | 显示全部楼层
本帖最后由 wenlibin 于 2010-4-29 13:06 编辑

原来第三种叫推挽啊,我今天上午试了一下,MOS管直接用两个互补的方波信号控制的,频率40KHz没有死区,
以为两个管子同时导通不会有问题(是这样吗?),结果烧了一个管子:(
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