请教如何将500KHZTTL方波升压到1000V,频率不变,没其他要求

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 楼主| lake198664 发表于 2008-10-20 10:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
请教如何将500KHZTTL方波升压到1000V,频率不变,没其他要求。小弟想了好久,只想到自己做个变压器,不知道各位大虾还有没有更好的主意?
linqing171 发表于 2008-10-20 13:03 | 显示全部楼层

耐压一千付的 三极管、可控硅吧

变压器能变这么大的倍数么?
 楼主| lake198664 发表于 2008-10-20 17:37 | 显示全部楼层

三极管可能到1000V吗?

  
wojiubushini 发表于 2008-10-20 17:50 | 显示全部楼层

一个变压器不行,搞10个串联吧,输入并联

  
tage 发表于 2008-10-21 08:50 | 显示全部楼层

电容充电到1000v

然后用几个高压三极管控制就可以了。相位都不变
 楼主| lake198664 发表于 2008-10-21 15:40 | 显示全部楼层

各位大虾?可行吗?

各位大虾?可行吗?
mohanwei 发表于 2008-10-21 21:50 | 显示全部楼层

有空算一下上升沿和下降沿吧。

就是把“超高压”高速运放拿来,压摆率都够戗……
PowerAnts 发表于 2008-10-22 03:25 | 显示全部楼层

在这里扯运放的SR,真是风马牛不相及

运放SR值达到1KV/uS的少见,高速功率开关达到10KV/uS、100KV/uS却是相当的常见。<br /><br />变压器升压及DC-DC-AC的方式都是不错的主意。<br /><br />先说说变压器升压,虽然真实变压器的漏感与分布电容不可能同时做得很小,但由于电感电流不能突变,开关管电流只要有稍大的变化,即可完成从1到0的变化,不太快的开关都能得到较理想的方波输出,记得副边要分段绕,尽量降低副边的层间电容,注意原边开关加RC调整振铃。<br /><br />再说一下DC-DC-AC的方法,这里很难找到高压的MOS,推荐用BJT。提到高速功率开关,许多人便想到MOS,其实有许多优秀的BJT可供选择,如11年前THOMSON的BUX48、BUX98,tf值已经达到了今业界惊呀的200ns,ONSEMI的MJ16018,datasheet的首页骄傲地给出了tf=80ns的指标,我只能以我是地球人而自豪。<br /><br />我们要学习老外精益求精的专研精神。<br /><br />
 楼主| lake198664 发表于 2008-10-30 17:39 | 显示全部楼层

呵呵,谢谢PowerAnts大虾

如题,很感谢你中肯详细的意见,虽然现在没有完全明白,但是我会好好研究再来请教的。
lyjian 发表于 2008-10-30 20:22 | 显示全部楼层

MJ16018

搞笑<br />你也不看看它的测试条件
PowerAnts 发表于 2008-10-31 11:15 | 显示全部楼层

有什么搞笑的?

看到它高达安培级的驱动电流,便觉好笑?所有开关型晶体管,都是这样的。MOSFET、IGBT在翻转过程中也需要2A以上的驱动能力哦。别以为现在已经是MOSFET的天下,高压大电流的高速MOSFET目前还少见。
yang2wei 发表于 2008-11-8 23:34 | 显示全部楼层

用电子管可以不?

  
xwj 发表于 2008-11-8 23:50 | 显示全部楼层

晕,一个个都在瞎扯

LZ&nbsp;也是,<br />你到底要干什么?<br />输出1000V到底用来干什么?<br />是否还要是严格的方波??<br />要多大的输出电流、功率???<br />对输出波形精度、电压电流幅度是否有精度要求????<br />....<br /><br /><br />傻都不说,别人当然就只能瞎猜了....
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