关于可控硅的门级触发电压

登录 · 发表于 2010-6-9 11:50

本帖最后由 442490720 于 2010-6-9 12:13 编辑

这是可控硅一参数

请看此图，这是MOC3020 的手册

可以看到可控硅的门级峰值电压最大不到１０V(绝大多数都小于１０V),而为什么触发电路这样做，这样的触发导通时门级电压肯定不只１０V呀，特别是第一种触发方式，在限流电阻和门极之上加了２２０VAC,算一下电流，比如在２２０VAC峰值时触发导通瞬间．那么电流约１.８A，电阻上的功耗是多少呢？１.８＊１.８＊１８０W，太吓人了

发表于 2010-6-9 17:30

楼主所说，是施加在门极上持续的直流电压。
图中所示，门极电压不可能是220VAC。双向晶闸管门极对A1电压电流特性差不多是两个(很差的)二极管反向并联。光耦导通时，电流流经180欧电阻，电阻上有压降，门极实际得到的电压仅为二极管与180欧电阻串联分到的电压，大致上是1V多。
180欧电阻上功率耗散180W，仅持续不到1us时间。双向晶闸管导通后两端电压很低，该电阻上功率耗散近于零。该电阻上平均耗散功率是很小的。

登录 · 发表于 2010-6-10 13:09

本帖最后由 442490720 于 2010-6-10 13:11 编辑

浪涌峰值电流最大为1A,而在触发导通瞬间峰值电流完全有可能超过1A培

登录 · 发表于 2010-6-10 13:20

呵呵看来是小弟看资料不够认真

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