关于可控硅的门级触发电压

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 楼主| 442490720 发表于 2010-6-9 11:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 442490720 于 2010-6-9 12:13 编辑

这是可控硅一参数


请看此图,这是MOC3020 的手册

可以看到可控硅的门级峰值电压最大不到10V(绝大多数都小于10V),而为什么触发电路这样做,这样的触发导通时门级电压肯定不只10V呀,特别是第一种触发方式,在限流电阻和门极之上加了220VAC,算一下电流,比如在220VAC峰值时触发导通瞬间.那么电流约1.8A,电阻上的功耗是多少呢?1.8*1.8*180W,太吓人了

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maychang 发表于 2010-6-9 17:30 | 显示全部楼层
楼主所说,是施加在门极上持续的直流电压。
图中所示,门极电压不可能是220VAC。双向晶闸管门极对A1电压电流特性差不多是两个(很差的)二极管反向并联。光耦导通时,电流流经180欧电阻,电阻上有压降,门极实际得到的电压仅为二极管与180欧电阻串联分到的电压,大致上是1V多。
180欧电阻上功率耗散180W,仅持续不到1us时间。双向晶闸管导通后两端电压很低,该电阻上功率耗散近于零。该电阻上平均耗散功率是很小的。
 楼主| 442490720 发表于 2010-6-10 13:09 | 显示全部楼层

请看此MOC3020光耦可控硅参数

本帖最后由 442490720 于 2010-6-10 13:11 编辑


浪涌峰值电流最大为1A,而在触发导通瞬间峰值电流完全有可能超过1A培

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 楼主| 442490720 发表于 2010-6-10 13:20 | 显示全部楼层
呵呵看来是小弟看资料不够认真

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