有关IR2104的自举电容和NMOS选择问题

登录 · 发表于 2010-8-10 09:36

这是我第一次用IR2104有一些疑问
希望各位师傅能不吝赐教
电机驱动电压为170V，频率40KHZ，电流3A的矩形波
电路图如下所示
自举电容C3,C4和Q1,Q2,Q3,Q4该如何选择？
U1,U2前边是否要加隔离电路？
谢谢啦！

发表于 2010-8-10 09:43

D3~D6没有必要。
C3,C4和频率有关，40K的话1uf足够大了。电机用40K的有点高了，20K就够快了

发表于 2010-8-10 09:44

用0.1U+IRF640可不可以？

发表于 2010-8-10 09:45

D3~D6没有必要。
C3,C4和频率有关，40K的话1uf足够大了。电机用40K的有点高了，20K就够快了
zjp8683463 发表于 2010-8-10 09:43

貌似D3-D6去掉会导致MOS关断速度缓慢。

发表于 2010-8-10 10:20

任务书上要求有40kHZ的
NMOS管的选择：
最大电压、最大电流、导通电阻、开关损耗、寄生电容、导通损耗这些都应该要考虑的吧

发表于 2010-8-10 10:27

貌似D3-D6去掉会导致MOS关断速度缓慢。
一级菜鸟发表于 2010-8-10 09:45

R26是33欧姆，不是33K。不见得有二极管会有多少效果

发表于 2012-4-11 10:04

MARK

发表于 2012-8-8 09:42

学习下

发表于 2012-8-8 10:14

40K频率不是很高，只要不选择那种工频的整流二极管一般问题不大。
快恢复二极管比如FR107，高频整流管比如1N4148啥的都可以。
是否隔离看实际需要，你也没说信号是如何给的。

发表于 2012-8-8 11:15

先想想这个33欧姆电阻的作用，然后分析二极管的作用，33欧姆电阻是不是起到缓冲保护IR2104的作用？如果加入二极管的话还能否起到这个作用？我的理解。

发表于 2012-8-8 13:40

U1,U2前边是要加的哦。

发表于 2012-8-9 11:05

10# angelsa0106
你听谁说的33R电阻起保护作用？那是减小切换时候寄生振荡的吧？

发表于 2012-8-10 14:30

12# EMP_
哦，知道了，差不多吧，缓冲？