请教:EEPROM的内部结构是怎么样的?

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 楼主| palmy 发表于 2010-8-17 22:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
EEPROM的内部结构是怎么样的?为什么像EEPROM和FLASH这种器件都是要按页或按sector来读写,Write Cycle Time指的是什么东西?
chunyang 发表于 2010-8-18 00:18 | 显示全部楼层
EEPOROM的电路结构可以在网上搜,但传统结构的EEPROM不是按页面或扇区读写的,而是按字节进行操作,Write Cycle Time指写入数据所需要的时间。
autopccopy 发表于 2010-8-18 08:41 | 显示全部楼层
本帖最后由 autopccopy 于 2010-8-18 08:43 编辑

回LS: "write cycle time" 不是写入的时间, 而是有效擦写次数(擦写寿命), 一般EEPROM都标称100万次,而我最近测试了 微芯的 24LC08A, 有些单元可以达到1600万次(超标16倍)。而FLISH一般DS都标称10万次。而FM24xx 铁电芯片是特殊技术,有SRAM和EEPROM的特性,兼容24Cxx系列, 号称可擦写100亿次!:lol

我的一次测试:http://www.zmdz.com/bbs/forum_read.asp?id=71519&page=1&property=0&ClassID=0

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