MOS管 ,当VDS=VGS时。 处于什么工作状态

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HWM 发表于 2013-4-21 21:27 | 显示全部楼层
heiselpy 发表于 2013-4-19 19:16
MOSFET 的饱和区域类比 BJT 的线性区
这句话似乎有问题?应该是MOSFET 的饱和区域类比 BJT 的放大区? ...

“类比BJT的放大区”也可。
HWM 发表于 2013-4-21 21:35 | 显示全部楼层
heiselpy 发表于 2013-4-19 20:29
MOS的饱和区可以理解为电流饱和,那BJT的饱和区怎么理解?

BJT的饱和一般理解为两PN结正偏,也可理解为Uec过低致使偏离电流源输出(或e~c类似“短路”导通)。
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