MOS这样驱动可以吗？

登录 · 发表于 2010-10-12 15:12

P沟道MOS管驱动电路
数据手册上VGS=+-20V
电路这样设计可以吗？在Q2截止时，Q1的1脚会达40V

发表于 2010-10-12 16:02

这样做，MOS管非击穿不可。
可以将R1分成两个电阻串联，例如两个10k电阻，那么就可以使Q2饱和时Q1的门极源极之间电压为20V。实际上，可以用15k和5k串联，Q1门极源极之间只要10V大概就够了。当然，最好是Q1门极源极并联一支稳压管，更保险一些。
不过，这样的电路速度不够快，只能用于开关频率较低情况。

发表于 2010-10-12 20:15

1# 兰天白云

在Q2截止时，Q1的1脚会达40V 这倒不可怕. 这时候 Q1 正常截止.
反而在Q2导通时，Q1的1脚会0V, 这时候 Vgs 出现了 -40V, 会导致 GS 击穿!

登录 · 发表于 2010-10-13 09:07

频率不高，1000HZ左右
分压电阻方式

稳压管这样这样放？

发表于 2010-10-13 09:17

1K用电阻分压就行了，稳压管很慢的。

发表于 2010-10-13 11:28

好像是稳压管并电阻的多吧

发表于 2010-10-13 12:10

4楼：
前一图的R1两端并联一支12～15V的稳压管。

发表于 2010-10-13 20:20

本帖最后由 ushen 于 2010-10-13 20:22 编辑

稳压管并联使用与npn三极管端组成钳位电路，另外还得考虑功率，限流电阻大小等

发表于 2010-10-13 22:15

看似正常，击穿MOSFET管的电压过高时会的。学习

发表于 2010-10-13 22:34

如果只有1000Hz，电阻值可以再加大。

发表于 2010-10-13 23:27

;P 不可思议！

发表于 2010-10-14 08:54

MOS管，这样驱动，我保留意见

发表于 2010-10-20 13:19

这是P-MOS很常见的驱动方式，主要是分压要恰当，没问题的。

MOS这样驱动可以吗？

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