求助！掉电保存大量数据的方法？

发表于 2010-10-30 09:15

菜鸟哥，1F的法拉电容才3元一个呀？

发表于 2010-10-30 09:18

菜鸟哥，1F的法拉电容才3元一个呀？
mcuisp 发表于 2010-10-30 09:15

1F/2.7V，批量还要不了3元

发表于 2010-10-30 10:00

目前容量最大的电容能达多少?

发表于 2010-10-30 10:00

PIC18系列是不支持页写功能的把.

发表于 2010-10-30 10:10

容量最大的电容？
那谁知道呢？

至少老x知道有用电容作动力的汽车，你不会想用哪个吧？:lol

发表于 2010-10-30 10:25

容量最大的电容？
那谁知道呢？

至少老x知道有用电容作动力的汽车，你不会想用哪个吧？:lol
xwj 发表于 2010-10-30 10:10

老X太坏了,那个可以做恐怖活动了。..

发表于 2010-10-30 10:27

TO 13楼：关于电池的钝化，我不是很清楚，希望能够发点资料给我，我的邮箱：443762747&qq.com (&=@) 谢谢!

TO 14楼：PIC18F内部自带动EEPROM只能字节写，至于另外选择具有页写的片子存储，我再考虑下！

TO 15楼：同上
TO 17楼：按你的意思，铁石是不可靠？我还没真正应用铁石存储器，不清楚它的缺点，希望能把铁石的不可靠性说明下，谢谢！

TO 18楼：按PDF说明，我的片子在睡眠状态的功耗为0.2uA，按你的算法，再理想状态，完全睡眠状态下能用几十年；再减去掉电瞬间会有较大的功耗，也能用个五六年！我用测试程序试了，写250个字节数据，差不多花了将近800mS，真如PDF所述的写一字节4mS左右！再按照yewuyi的方法“因为500个字节不可能一下子冒出来，也许在通电过程中，这些数据就可能出现了，此时，你可以出现一个就写一个，这样可以减少掉电时写的数量。”这样我算了一下有差不多300多个数据是在工作过程中出现的，这样掉电时只要写120字节左右的数据，也就差不多花300多mS，这样用个1F的电容应该差不多了！
TO 19楼：前面已说明；我决定先用法拉电容！

发表于 2010-10-30 10:33

老X太坏了,那个可以做恐怖活动了。..
yewuyi 发表于 2010-10-30 10:25

丫就只知道恐怖活动，就不能想点正常点的应用吗？:lol

发表于 2010-10-30 11:36

1F/2.7V，批量还要不了3元
一级菜鸟发表于 2010-10-30 09:18

我是5V的片子，用2.7V耐压的电容怕是行不通！

发表于 2010-10-30 12:55

我是5V的片子，用2.7V耐压的电容怕是行不通！
mei326 发表于 2010-10-30 11:36

看帖要仔细。

发表于 2010-10-30 15:12

看帖要仔细。
一级菜鸟发表于 2010-10-30 12:55

:lol 看反了

发表于 2010-10-30 19:51

1# mei326

不知道你能不能接受存储在FLASH里面？18系列的都支持自编程，支持页操作，而且18系列FLASH的擦写寿命也不低的。

发表于 2010-10-30 20:49

说实话，我目前还没有发现铁电存储器不可靠。

发表于 2010-11-1 14:52

本人还是不同意用法拉电容，虽然单个法拉电容容量可达到470F，但漏电流也很大
最好的
1：采用24或铁电
2：采用内部FLASH

发表于 2010-11-1 15:26

本人还是不同意用法拉电容，虽然单个法拉电容容量可达到470F，但漏电流也很大
最好的
1：采用24或铁电
2：采用内部FLASH
兰天白云发表于 2010-11-1 14:52

请问内部flash如何用！我的片子支持自编程～就是不知道如何用！

发表于 2010-11-2 11:04

如果你的掉电次数并不频繁，可以考虑用内部Flash存储数据。
以PIC18F87K90为例，87K90可以支持最大128字节的Flash页写，87K90的Flash擦写次数参数是（-40~85C，最小值：1万次），如果预估每天不超过3次掉电，是可行的。
不过，从产品安全性的角度考虑，还是建议你用外部24系列的EEPROM，MCU可以换成PIC18的J系列（不带内部EEPROM），PIC18J+外部EE的成本可能并不大于你现在使用的型号。

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