可控硅驱动电路

登录 · 发表于 2011-2-13 20:03

如果开其他的电器开关时，可控硅电路会出现短时间的接通，这是为什么，我把可控硅接法的电路上传了，，请高手指点小弟。

发表于 2011-2-13 20:31

在G、K间并一个电阻及一个电容，可大大降低干扰

发表于 2011-2-16 19:58

大概并多大的最合适的？

发表于 2011-2-16 22:22

楼主遇此现象是因为可控硅触发极的连线过长，感应电磁干扰后会导致误触发，2楼的处理方**确，电容值可选1000pF量级即可，电阻则选数百欧姆的，只用电阻也行，看耦合强度了。

发表于 2011-2-17 08:10

谢谢。。。

发表于 2014-4-29 21:56

chunyang 发表于 2011-2-16 22:22
楼主遇此现象是因为可控硅触发极的连线过长，感应电磁干扰后会导致误触发，2楼的处理方**确，电容值可选100 ...

您指定是晶闸管两端的吸收电路吗？那么请教一下，这个参数具体怎么计算好呢？是根据它的时间常数来算的吗？还是什么？

发表于 2014-4-30 00:04

木糖醇加可乐发表于 2014-4-29 21:56
您指定是晶闸管两端的吸收电路吗？那么请教一下，这个参数具体怎么计算好呢？是根据它的时间常数来算的吗 ...

完全不同的两码事。吸收回路是为了应对感性负载的瞬态电压变化斜率，是接在可控硅的两个主电极间的。楼主问题则属于抗电磁干扰问题，与触发回路有关，所以是两个截然不同的概念，别看到RC就以为是一码事。

发表于 2014-5-4 15:33

PowerAnts 发表于 2011-2-13 20:31
在G、K间并一个电阻及一个电容，可大大降低干扰

正解