MOS管通流能力和发热的疑问！？

发表于 2011-4-27 10:44

一般MOS管的手册上都写了它的最大电流时多少，并且还有Rds数值等等。
例如IR的一款MOS管IRFH5004TRPBF,封装为PQFN5*6MM,最大耐压40VDC，最大电流100A，Rds=2.6m欧，QgTyp@10V=73nC

我的疑问：
1、最大电流100A，那么根据P=I*I*R=100A*100A*2.6m欧=26W
对于一个PQFN5*6MM的封装来说，它如何承受这个26W的功率？
2、QgTyp@10V=73nC
这个参数是干什么用的？

发表于 2011-4-27 11:04

坐等高人解答!

发表于 2011-4-27 11:14

咱来同求了

发表于 2011-4-27 11:15

这个最大电流只是半导体器件能承受的最大电流，结合散热考虑肯定是有时间限制的。
G极内部是有电容的，QgTyp@10V=73nC是指G极驱动到10V时，需要73nC的电量对电容充电。

发表于 2011-4-27 11:18

呵呵，俺也一直认为，这个最大电流就是一种误导，只是各个厂家互相忽悠和吹牛的手段而已。

发表于 2011-4-27 11:22

这个最大电流，可能连管子的引脚都不能长时间承受。楼主不妨根据管子引脚尺寸计算一下。

发表于 2011-4-27 11:39

呵呵，俺估计一般MOS管常态电流能到它标注的最大电流20%就顶多了。

一般谁会去想再去计算那个引脚通流能力呢?

100A,那可得要多粗的一根铜线啊！！！

发表于 2011-4-27 12:53

学习了

MOS管通流能力和发热的疑问！？

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