有关MOS管内阻的问题

发表于 2011-5-19 15:54

在MOS管制作工艺中，是不是内阻越小越好，因为可以降低功耗？

如果说，适应用的具体功能而选择内阻的大小，这样的话，还希望大家多拿例证，

也容在下多开眼界，不胜荣幸！期待众神降临，供大家笑谈天地。

发表于 2011-5-19 16:12

一般地说，MOS管导通电阻小，可以降低导通时的功耗。
但无论什么元件器件，追求某项指标必会影响其它指标。以MOS管来说，高耐压与低电阻是矛盾的，不可兼得。
所以不能说导通电阻越小越好，因为这是牺牲其它性能获得的。

发表于 2011-5-19 17:11

谢谢，我非常认同您的观点。

发表于 2011-5-19 18:45

一般mos管额定电流越大,额定导通电阻也就越小
所以你想选一个mΩ级导通电阻的管子,往往只有几十A的大功率管才具备这个条件.

发表于 2011-5-20 04:20

我做的一个简易锂电池过流保护板，是对mos管的导通压降进行检测。为了取得合适的压降，我选了一个导通电阻为7毫欧的管子。当ds间流过10a电流时，足以产生0.7v的压降驱动三极管导通，从而切断驱动电路，达到短路、过流保护的目的。

发表于 2011-5-20 06:52

LS这个方案不大靠谱,拟用分流器采样较妥.

发表于 2011-5-20 07:23

我做的一个简易锂电池过流保护板，是对mos管的导通压降进行检测。为了取得合适的压降，我选了一个导通电阻为7毫欧的管子。当ds间流过10a电流时，足以产生0.7v的压降驱动三极管导通，从而切断驱动电路，达到短路、过 ...
qq986433936 发表于 2011-5-20 04:20

倒是见过做逆变的用此法

发表于 2011-5-20 08:22

5楼：我做的一个简易锂电池过流保护板，是对mos管的导通压降进行检测。为了取得合适的压降，我选了一个导通电阻为7毫欧的管子。当ds间流过10a电流时，足以产生0.7v的压降驱动三极管导通，从而切断驱动电路，达到短路、过流保护的目的。
*******************************
7毫欧 x 10a=70mV，何来0.7V？

发表于 2011-5-20 09:22

8楼的结果很给力啊。一语中的、

发表于 2011-5-20 09:27

正纳闷呢,咋算出来的.

发表于 2011-5-20 09:35

:) 也不要拿着这个结果不放了，还是哪位高手多拿些具体的例子出来给大家论证吧。不胜感激。

发表于 2011-5-20 09:36

其实MOS管的内阻与电流是非线性的,不能这么算,要看特性曲线图.

发表于 2011-5-20 10:01

丁定订顶鼎

登录 · 发表于 2011-5-20 16:00

O,对不起，深夜回帖有点不够清醒。实际我用的三极管，在微小电流下导通电压也低于0.7v，这个过流点需要计算。大致的原理图如下：

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