可控硅调速电路（专利电路图）

登录 · 发表于 2017-10-20 17:52

上面这个电路据说是有国家专利的电路，但我感觉没什么卵用。各位大侠帮忙分析分析。
下面是我的观点：
1.光耦+整流桥这块很好理解，就是隔离可以通过别的信号控制开关。个人这样做也没多少意义，现在光耦有带可控硅输出的，直接光耦控制不是更好吗？
2.下面三极管和二极管组成的一堆电路，感觉也是多余的，直接电容电阻双向二极管也是可以工作的（如下图），这个些三极管二极管可能是保护可控硅G极的
，但如何保护实在没看懂。

发表于 2017-10-20 20:30

本帖最后由 fzyuan 于 2017-10-21 18:35 编辑

可以数控！
在光耦的输入端以PWM方式控制C1的充电速度，就可以控制可控硅的触发相位。
虽然触发相位不与PWM的占空比呈线性关系，但这是可计算的。

楼主说采用可控硅光耦也可以控制，但实现连续可变相位角是麻烦的。
可控硅光耦大致有2类：
1.随机触发
2.过零触发

采用过零触发的光耦，那就不能控制相位角；
采用随机触发的光耦，那就必须知道当前的电力线的相位，这需要检测电路，很麻烦的。

发表于 2017-10-21 13:21

fzyuan 发表于 2017-10-20 20:30
可以数控！
在光耦的输入端以PWM方式控制C1的充电速度，就可以控制可控硅的触发相位。
虽然触发相位不与PWM ...

有点蒙膜拜大佬

发表于 2017-10-23 08:28

本帖最后由 fox8769 于 2017-10-23 08:39 编辑

fzyuan 发表于 2017-10-20 20:30
可以数控！
在光耦的输入端以PWM方式控制C1的充电速度，就可以控制可控硅的触发相位。
虽然触发相位不与PWM ...

谢谢，你说得也很多道理。我一直都加过零检测做，程序上会这个麻烦一点，但电路简洁很多。
主要是Q2，Q3，D5，D6不明白。

发表于 2017-10-23 09:13

此电路设计有肯定技巧，主要正负半周时期，怎样确定电流流向。

发表于 2017-10-23 10:34

此电路设计有技巧

发表于 2017-10-23 10:56

steelen 发表于 2017-10-23 10:34
此电路设计有技巧

什么技巧 Q2 Q3,D 5,D6有何作用能？

发表于 2017-10-23 11:05

fox8769 发表于 2017-10-23 10:56
什么技巧 Q2 Q3,D 5,D6有何作用能？

没有用。

发表于 2017-10-23 18:13

maychang 发表于 2017-10-23 11:05
没有用。

我读书少，你不要骗我哦

发表于 2017-10-24 10:30

fox8769 发表于 2017-10-23 18:13
我读书少，你不要骗我哦

以你的智商他怎么可能骗得了你

发表于 2019-7-12 19:17

大部分专利都是用来骗经费的。

可控硅调速电路（专利电路图）

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