使用MOC30XX驱动三象限可控硅时RC缓冲电路的疑问

发表于 2011-7-20 22:58

如果使用三象限可控硅，一般的说法而言，可以省去RC缓冲电路，因为三象限可控硅本身比四象限可控硅，具备很高的DV/DT能力。

但问题是，假如使用MOC3061之类的去驱动三象限可控硅，在关断感性负载时，
可控硅两端的高DV脉冲，也会跨接在MOC3061的输出端，有可能高出3061的耐压值，担心损坏3061的内部那个驱动可控硅。

各位如何考虑这一问题？谢谢。

登录 · 发表于 2011-7-20 23:03

典型电路图

登录 · 发表于 2011-7-20 23:03

典型电路图

发表于 2011-7-21 17:39

没有人理啊。。。

发表于 2012-5-4 12:09

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