能不能将变量声明在stm32的flash？

发表于 2018-4-22 16:37

能不能直接在flash声明变量？
如果不能，那么是不是要经常将变量保存在flash里？这样好像不能保证能及时存放

@ddb_21ic · 发表于 2018-4-22 21:05

应该可以。不过一般没必要啊，stm32有几兆ram的，这还不够用吗？

发表于 2018-4-22 21:17

dirtwillfly 发表于 2018-4-22 21:05
应该可以。不过一般没必要啊，stm32有几兆ram的，这还不够用吗？

我的目的是为了不外置flash的情况下掉电**。。。

发表于 2018-4-22 21:54

你是想要flash模拟eeprom吧，网上有类似的例子不少的。

发表于 2018-4-22 22:35

xyz549040622 发表于 2018-4-22 21:54
你是想要flash模拟eeprom吧，网上有类似的例子不少的。

是的，我想问的是能不能将变量声明在flash

发表于 2018-4-22 23:03

标准c的话，加上链接器配合，可以直接声明在flash，但是肯定是只读的。写的话还是要调用写flash的函数。用 & 运算符取变量的地址。
如果用IAR编译器的话，可以自定义存储关键字。你按照它的教程顶一个 __myFlashVar ,然后实现对应的两个read和write函数就可以了。

发表于 2018-4-23 07:03

单模先声发表于 2018-4-22 22:35
是的，我想问的是能不能将变量声明在flash

参考楼下的意见。

发表于 2018-4-23 10:27

一个变量声明为const的时候，他就在flash里面了，这是只读的，要写的话还得通过flash写函数，另外就是注意擦除的问题，所以最好的办法还是像6楼所说的，与链接文件配合

发表于 2018-4-23 11:43

linqing171 发表于 2018-4-22 23:03
标准c的话，加上链接器配合，可以直接声明在flash，但是肯定是只读的。写的话还是要调用写flash的函数。用 ...

如果我隔一段时间去将变量保存在flash，但是这样做好像不能保证及时保存啊。比如保存的前一秒断电了，这样数据不就出错了吗？

发表于 2018-4-23 13:48

单模先声发表于 2018-4-23 11:43
如果我隔一段时间去将变量保存在flash，但是这样做好像不能保证及时保存啊。比如保存的前一秒断电了，这 ...

是的，保存的前一秒断电，只是数据是之前的数据。
如果保存的擦写之间断电，数据被擦了没有存，就全错了。
如果保存的次数多了，flash被写穿了，坏了，以后不能存东西了。那么芯片也就报废了。非挥发存储器都是有寿命的，存储寿命和读写寿命是不同的。
一般低端的MCU，程序flash在写的时候是不能读的，也就是写flash那几十毫秒内，程序是暂停执行的，有苛刻任务的时候要考虑。

为了解决这些问题，各种办法出现了。比如负载磨损均衡算法，比如日志双备份文件系统，比如外置百万次擦写寿命EEPROM的架构，比如高寿命的FRAM... ... 。从商业用途到特种用途，具体方案具体分析，总有一个方案适合你。但是万能的解决方案还需要你们来找到。

发表于 2018-4-23 16:13

linqing171 发表于 2018-4-23 13:48
是的，保存的前一秒断电，只是数据是之前的数据。
如果保存的擦写之间断电，数据被擦了没有存，就全错了 ...

如果外置百万次擦写寿命EEPROM，是不是也是采用频繁保存数据这种方法？
如果是这样的，这些问题就还是解决不了了（保存的前一秒断电，只是数据是之前的数据。
如果保存的擦写之间断电，数据被擦了没有存，就全错了。）

发表于 2018-4-23 18:09

单模先声发表于 2018-4-23 11:43
如果我隔一段时间去将变量保存在flash，但是这样做好像不能保证及时保存啊。比如保存的前一秒断电了，这 ...

平时存在ram，掉电中断时才写入flash，做好时间戳和校验，两个扇区轮换，只擦除久数据扇区，保持有一个最新的没有差错的数据记录。

发表于 2018-4-23 20:53

应该是不行的

发表于 2018-4-23 21:33

dying gasp电路加宽电压的EEPROM，加双倍分等算法，这是比较常见的做法。用EEPROM而不是flash。
还有一种就是dallas的专用超低功耗的RAM，带后背电池的，可以存30年。
很久以前读书的时候，用PCF8583，加个电池，就可以来存数据了，不过容量很小，那个时钟芯片的耗电也很小。

发表于 2018-4-23 22:03

linqing171 发表于 2018-4-23 21:33
dying gasp电路加宽电压的EEPROM，加双倍分等算法，这是比较常见的做法。用EEPROM而不是flash。
还有一 ...

感谢你的回复。我知道该怎么做了

发表于 2018-4-23 22:04

fxmxh 发表于 2018-4-23 18:39
你这要求，一定要配合合理的硬件电路来搞才有解，也就是要有掉电检测电路，而且还要在检测到掉电时，要有 ...

感谢你的回复。我知道该怎么做了

发表于 2018-4-24 08:34

学习学习新知识

发表于 2018-4-24 23:40

变量是存在内存里的，怎么声明Flash里呢？
Flash里存的是常量，你可以通过指针的方式读取出来，使用。
如果经常修改的话，还是不要用了，毕竟Flash寿命就那么长。

[STM32] 能不能将变量声明在stm32的flash？

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