模拟电子技术基础童诗白第四版 MOS问题

登录 · 发表于 2018-12-13 10:49

最近在复习基础知识.........原谅我基础薄弱

在MOS这一章中讲到：为了使N沟道结型场效应管能正常工作，应在栅-源之间加负向电压
这和现实应用相反，实际使用都是N管在栅-源之间加正向电压，想问下书里为什么这么写。

发表于 2018-12-13 11:46

图片中说的是结型场效应管，你说的是MOS管。

发表于 2018-12-13 11:59

maychang 发表于 2018-12-13 11:46
图片中说的是结型场效应管，你说的是MOS管。

不好意思，二百五了

，好好看书
我去查查JFET和MOSFET区别吧.......

登录 · 发表于 2018-12-25 15:11

maychang 发表于 2018-12-13 11:46
图片中说的是结型场效应管，你说的是MOS管。

再请教您一个问题，为什么掺杂浓度高，耗尽层会窄呢？不是掺杂浓度高，扩散运动剧烈，耗尽层宽吗？

发表于 2018-12-27 17:06

黄涛007 发表于 2018-12-25 15:11
再请教您一个问题，为什么掺杂浓度高，耗尽层会窄呢？不是掺杂浓度高，扩散运动剧烈，耗尽层宽吗？

...

耗尽层的宽度由多数载流子的扩散和内电场导致的少数载流子的漂移运动共同决定，你不能只看到扩散而对漂移视而不见。扩散会增强漂移，直至二者搭成平衡，而参杂浓度越高，搭成平衡的速度就越快，耗尽层自然也就越窄。

登录 · 发表于 2018-12-29 13:46

chunyang 发表于 2018-12-27 17:06
耗尽层的宽度由多数载流子的扩散和内电场导致的少数载流子的漂移运动共同决定，你不能只看到扩散而对漂移 ...

谢谢，了解了。
再想请教一个问题，关于下面的两个电源开关电路，有什么区别吗

一个靠三极管来控制MOS，另外一个直接控制MOS，好像没有什么区别啊

发表于 2018-12-29 14:36

黄涛007 发表于 2018-12-29 13:46
谢谢，了解了。
再想请教一个问题，关于下面的两个电源开关电路，有什么区别吗一个靠三极管来控 ...

右下图中所需要的PWM信号幅度比左边图中PWM信号幅度大得多。

发表于 2018-12-29 14:55

maychang 发表于 2018-12-29 14:36
右下图中所需要的PWM信号幅度比左边图中PWM信号幅度大得多。

您的意思是频率低的时候，左右电路的效果区别不大；频率高的时候，右边电路会有问题，MOS可能还没关闭就又导通了？那这种情况下输出电压会受影响吗

发表于 2018-12-29 14:57

黄涛007 发表于 2018-12-29 13:46
谢谢，了解了。
再想请教一个问题，关于下面的两个电源开关电路，有什么区别吗一个靠三极管来控 ...

如楼上maychang所言，二者的电平幅值相差很大，PWM信号的极性也相反。上图中，PWM信号只要能使晶体管导通即可，3V系统都可以驱动，且高电平时MOS管导通。下图中，PWM信号的高值必须使MOS管截止，这要求幅值非常接近VBat（这也意味着那两个2K电阻是无用的），且高电平时MOS管截止。

发表于 2018-12-29 15:08

chunyang 发表于 2018-12-29 14:57
如楼上maychang所言，二者的电平幅值相差很大，PWM信号的极性也相反。上图中，PWM信号只要能使晶体管导通 ...

这个会在高频率的PWM信号时影响MOS的可靠截至是吗，继而影响Vout

发表于 2018-12-29 15:24

黄涛007 发表于 2018-12-29 15:08
这个会在高频率的PWM信号时影响MOS的可靠截至是吗，继而影响Vout

跟频率无关，纯粹是导通条件问题，建议先好好学习一下MOS管及其电路的基本原理。

模拟电子技术基础 童诗白 第四版 MOS问题