M451中，FMC控制flash读写，数据可否做到写100万次？

发表于 2019-1-24 15:12

M451中，FMC控制flash读写，数据可否做到写100万次？要用什么机制？有没有例程？

发表于 2019-1-24 20:57

用文件管理。
或者循环写。不要总是对着一个地方擦写就行了。

发表于 2019-1-25 09:01

用文件管理？有没有例子呀？它会自动处理底层相关的吗？

发表于 2019-1-25 17:03

NAND Flash的坏块问题是影响存储可靠性的重要问题,解决方式有2种,一种是在驱动层解决坏块问题,将不可靠的NAND Flash虚拟为一个可靠的存储设备,为上层文件系统提供可靠的透明的服务。第二种方法是在文件系统层解决,驱动层只实现其本身基本功能,文件系统为驱动层提供不变的接口,为上层应用程序提供可靠的透明的服务。两种方法各有优点,第一种方法具有较强的可移植性,由于FAT文件系统已经相对成熟,这种将坏块处理做在驱动层的方法,可以彻底断绝和文件系统的联系,不光适用于FAT文件系统,其他文件系统同样可以使用。但是由于坏块问题是一个相对复杂的问题,经过实践表明,在驱动层解决坏块问题所需要的资源,无论是CPU 资源还是存储资源都大幅增加,而且软件实现方式非常复杂。

发表于 2019-1-25 18:11

M451支持FAT文件系统吗？必须要带操作系统吗？带什么操作系统呢？

发表于 2019-1-27 13:54

如果不想使用第三方，自己实现循环擦写的功能。可以使用一段固定区域，需要更新的时候，把写好的部分擦除，然后写到擦除地址的后面去，这样做到循环擦写。写之前判断是否此次写后会到结尾，如果超过了结尾区间，从头开始写。

发表于 2019-1-27 23:43

100万次是指每个字节平均次数。
如果循环写会稍微小于这个数。
循环写比较好，如果你针对某个位置不停写，那很快就废了。另外程序设计上擦写不要太频繁。

[技术问答] M451中，FMC控制flash读写，数据可否做到写100万次？

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