想法很新颖，IO低端MOS导通，阻抗很低，用1K串联过后，采样精度可以保证，可P1.0不导通时候呢？P1.1电压承受的可就是12V串联3K电阻，这样会通过P1.0、P1.1的寄生二极管对单片机的Vcc导通，一个可能情况是直接超过芯片工作电流，导致VCC过范围，破坏芯片逻辑。（有3K限流，损坏估计还不至于）
看你用3K电阻，是不是希望测试时候，12V电池电压希望有个合适的负载，否则，直接用比较高的电阻分压，长期工作都不是问题了，别以为ADC输入阻抗太高会造成测试误差，这个完全可以通过延长采样时间来解决。至于希望测试时候，带个合理负载，你可以通过一个负载电阻加三极管，通过P1.0端口驱动，测试时候导通一下就成。既希望ADC输入阻抗低，同时必须考虑长期消耗，你可以像下面这个图来做：
P1.0高电平，PMOS管导通，P1.1可以获取正确的电池电压。而P1.0低电平，PMOS管截止，什么都不会发生，包括耗电。
还有一个是电池供电的，采用7805就有点问题了，这个货静态电流高了点，不合适电池供电场合。采用选择一款低静态电流的稳压芯片吧。比如HT7550什么的，对于MOS LDO，对于上电瞬间可能出现的高于正常5V的电压，可以直接并联一个5.6V稳压管来进行箝位，保证芯片安全。
|
楼主
