欣赏H大师怎样一本正经地糊弄新手的

登录 · 发表于 2019-4-19 20:47

今天看到某高人写针对我的揭露**，居然需要好几个月“酝酿”，才能写出几百个小字。

咱要是想揭露，根本不需要“酝酿”，随便查阅个帖子就行了。

例如这个帖子：

https://bbs.21ic.com/icview-233042-1-1.html

发表于 2019-4-19 20:55

本人早在2013年左右，就发现个规律或者说是奥秘：这个大师讲话，句句都正确无比，但句句是正确无比的废话，因为他答非所问。

此人回答问题的特点：他跑你的文字描述中，找到个他感兴趣（会）的关键词，然后针对这个关键词展开长篇大论，根本不管你的提问是什么！

例如上面图片，提问者的问题说的非常明确，他想知道频率对结电容和扩散电容的影响！

看看人家回答，直接拿这两种电容普通电容做比较了。结论也是含糊不清的“有差异”！！！

发表于 2019-4-19 21:02

而且回答问题过程中，喜欢创造新名词，喜欢瞎猜乱侃。

例如：【“扩散电容”则不同，它是由电荷扩散至对面区域】，，，，正确说法是载流子（电子和空穴的扩散）！
例如【部分复合部分以少子形式存在。】----连复合是啥意思都不懂！

例如【“扩散电容”的主要机制是电荷储存（复合部分），而复合和产生过程并不遵循一般的电容规律】----复合、产生和电容规律（电容规律是什么？？？）这三个风马牛的概念，人家硬是拉到一块去了！

发表于 2019-4-19 21:04

再来欣赏人家非常牛叉的因为所以逻辑：

【“扩散电容”由于和电荷储存（复合和产生）有直接关系，而电荷储存又和PN的正向偏置有关。因此，“扩散电容”和二级管的正向电流相关。
此外，复合和生成需要较大的能量交换，所以显见，只有较大正向偏置和较长注入和抽出时间才会明显地增大“扩散电容”。
高频下，一般正向偏置和周期都较小，所以“扩散电容”不太显著。
另外，如果PN处在反向偏置时，“扩散电容”也基本消失。】

这个强大的因为所以逻辑，你们看懂了吗？

登录 · 发表于 2019-4-19 21:12

说到这儿，顺便指出，下图这个红圈中的文字，非常常见，这种说法是错误的，这样想也是非常危险的。

登录 · 发表于 2019-4-19 21:26

关于pn结电容，可能世界上最有发言权的，就是肖克莱了：

登录 · 发表于 2019-4-19 21:34

嗯，H大师是复旦大学正教授，不宜回答低水平的问题。

登录 · 发表于 2019-4-20 08:51

坛主说，H大师回复低水平的问题非常少。

查看帖子可知，他回复的帖子里99%都是低层次的问题，至少他回答的内容是低层次的，例如电容储能公式。

2010年，H大师号称是复旦大学教授，这个一般不回答低水平问题的正儿八经教授，在论坛上教网友如何拔掉女朋友衣服。

经验丰富的老色鬼！

发表于 2019-4-20 11:56

有点意思了啊，快拿小板凳，坐等看戏

发表于 2019-4-22 08:00

你们整天掐我看了HWM表达能力比较弱, 水平呢比我们好, 可能只是发表学习过程中的领悟, 如果为人低调一点虚心一点, 你们就掐不起来了.

学术有讨论是好事

发表于 2019-4-22 13:33

eydj2008 发表于 2019-4-22 08:00
你们整天掐我看了HWM表达能力比较弱, 水平呢比我们好, 可能只是发表学习过程中的领悟, 如果为人低调一点 ...

HWM不是表达能力的问题，是死犟顽固的问题

发表于 2019-4-22 13:56

xukun977 发表于 2019-4-20 08:51
坛主说，H大师回复低水平的问题非常少。

查看帖子可知，他回复的帖子里99%都是低层次的问题，至少他回答 ...

笑死我了

发表于 2019-4-22 14:51

雪山飞狐D 发表于 2019-4-22 13:33
HWM不是表达能力的问题，是死犟顽固的问题

掐得太多没看完

欣赏H大师怎样一本正经地糊弄新手的

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