大家帮忙看看双向可控硅电路

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 楼主| zp6916 发表于 2011-11-12 09:18 | 显示全部楼层
19# maychang
限流我明白了,但是问题是R2两端的电压是多少呢?380V?光耦内部不是有一个过零检测电路吗?这个电路作用不是说检测到电压在0V附近(大概在10V左右),光耦内部电路才会使380V交流流过吗?光耦在0V附近一导通,门极就被触发,双向可控硅就导通,交流就会经过双向可控硅而不经过光耦输出侧了(不知道这个理解对不对)
我想知道的问题是,R2上的电压最大能达到多少呢?是380V?还是0V附近(10V左右)的电压?
Cortex-M0 发表于 2011-11-12 09:48 | 显示全部楼层
R2上的电压是可变的,未成功触发时,电压上升,最高可达正负几十伏,可控硅一但导通,电压直线下降至约0V
a3213211353 发表于 2011-11-12 10:01 | 显示全部楼层
学习了
 楼主| zp6916 发表于 2011-12-15 10:08 | 显示全部楼层
19# maychang
您好:关于您这个回答,让我明白了很多,但是还有个问题,这个R2的阻值流过的电流主要依据触发电流来取,但是电压的取值主要依据什么来确定?还有,双向可控硅门极的触发电流是怎么流过的?是R2-光耦-可控硅门极-这样流过吗?R3是给门极提供门极电压吗?比较急,望解答
mrwcq 发表于 2013-12-5 23:11 | 显示全部楼层
其实,两个电阻都应该是限流的作用,但交流电为正向时,电流通过R2、光耦内阻施加到可控硅G级,而交流电为负半波,电流由交流电的N线经过R3直接到G级,而光耦可控硅在此时充当放电的动作,电流流过光耦可控硅产生电流流动的态势,触发可控硅,愚见!!!
ycslian 发表于 2014-5-9 10:48 | 显示全部楼层
都给你回答了,说的都对
362479145 发表于 2015-3-26 13:31 | 显示全部楼层
本帖最后由 362479145 于 2015-3-26 13:35 编辑

maychang 老师,请教一个问题:我按照第一幅图的接法,可控硅受单片机控制:但是按照第二幅图的接法,可控硅却一直导通,不受单片机控制!理论上应该是第二幅电路图是正确的啊!很是费解,希望您给指导一下!谢谢!

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cauhorse 发表于 2015-3-26 13:59 | 显示全部楼层
计算过程可以大致参考下面这个AN:
https://www.fairchildsemi.com/application-notes/AN/AN-3004.pdf
AN-3004 Applications of Zero Voltage Crossing Optically Isolated Triac Drivers
xiachunbo 发表于 2015-3-28 20:59 | 显示全部楼层
@maychang
解析的真给力。赞
chuzhaonan 发表于 2017-8-16 21:15 | 显示全部楼层
chunyang 发表于 2011-11-11 23:49
R2是光耦输出级的限流电阻,R3是可控硅的偏置电阻,防止可控硅被干扰信号误触发,R4和电容构成RC吸收回路用 ...

已经按照规格书上的电路进行搭建了,为什么感觉还是容易触发,导致晶闸管损坏的?
chunyang 发表于 2017-8-17 13:53 | 显示全部楼层
chuzhaonan 发表于 2017-8-16 21:15
已经按照规格书上的电路进行搭建了,为什么感觉还是容易触发,导致晶闸管损坏的? ...

有问题另行开帖,说清楚情况,包括给出电路和负载。
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