IR2110驱动mos管，振铃现象严重

登录 · 发表于 2011-12-24 14:51

本帖最后由 fengxiangru 于 2011-12-24 14:55 编辑

原理图如下，上管输出波形也如下。现在我把栅极电阻从100换到1K，栅极的振铃现象还是非常的严重，求高人指教。

发表于 2011-12-24 14:56

上面已经上我把栅极电阻改成1K的时候上管的输出波形了，振铃现象还是很严重。

需要补充的是，我用的mos管是100V，290A，Qg比较大，栅极电容也比较大。

登录 · 发表于 2011-12-24 15:31

本帖最后由 fengxiangru 于 2011-12-24 15:33 编辑

再传一张上管的波形图[img][/img]

发表于 2011-12-24 17:44

这个问题应该不是驱动方面引起的，这个情况你是带载后地结果吧？？！！
你的下管应该没有类似的情况吧，我想是浮地，你没有处理带载后浮地电平地变化。浮地的基准在变化引起的，还是负载的情况，你没有考虑的缘故。按你的电路图看，负载在浮地点没有释放回路。

发表于 2011-12-24 17:46

补充下，你可以带个纯阻的，应该没你说的那么严重

发表于 2011-12-24 19:33

没注意你的频率，你的频率是多少啊？？？！！！太高的频率是无法充分完成自举的。。。

发表于 2011-12-26 08:39

4# xiaoyuan_ly
的确是带载后才产生的问题，下管的确没有这样的问题，我来看看上管的回路

发表于 2011-12-26 08:45

这个问题应该不是驱动方面引起的，这个情况你是带载后地结果吧？？！！
你的下管应该没有类似的情况吧，我想是浮地，你没有处理带载后浮地电平地变化。浮地的基准在变化引起的，还是负载的情况，你没有考虑的缘故。 ...
xiaoyuan_ly 发表于 2011-12-24 17:44

如何在浮地点增加释放回路呢？

发表于 2011-12-26 08:45

6# xiaoyuan_ly

自举没有问题

发表于 2011-12-26 13:20

初步判断这个震荡和栅极电阻没关系，应该是MOS的寄生电容和功率走线的电感引起的

发表于 2011-12-28 10:20

驱动频率高，有电感……

发表于 2011-12-28 10:22

好像用了1M的吧？降到10K

发表于 2011-12-28 21:51

4# xiaoyuan_ly
的确是带载后才产生的问题，下管的确没有这样的问题，我来看看上管的回路
fengxiangru 发表于 2011-12-26 08:39

还是负载引起的，理论上没有问题，但实际的实现过程中，负载（特别是感性负载）在浮地点切换时的表现为反势的能量没有释放的回路。我的理解是：开关回路是表现为容性的，所以会有瞬时的变化导致浮地的变化。你说呢？？！！不知道加反向二级管构成释放回路，可以伐

发表于 2011-12-28 21:56

再说一下，你的这个频率在如此大功率下，可以用约1M的频率吗？？－－－对此我怀疑，我用过比你小的200V/30A的管，是不能到1M使用频率的。你看了管子的文档了吗？？！！