从晶体管的基区电阻看低频电路和高频电路的合二为一性

登录 · 发表于 2020-10-20 12:57

本帖最后由 xukun977 于 2020-10-20 13:03 编辑

低频模拟电路中讲到的晶体管基区电阻rbb，是非常模糊的，隐忍的，含蓄的。
总而言之就一句话，用直白的普通话说就是：几句话很难扯清！

所以一般直接用个常数（数百欧姆）的电阻替代即可。

给定了晶体管的混合模型，然后告诉读者---这个模型的实际可用范围大约是fT/3，甚至更低，具体原因一般都不会说明。

以低频小信号模型为例，书上一般给的模型是：

而比较真实或切合实际的管子模型为：

所以，研究出两种模型的区别，就能知道书上给的简化模型的应用局限性。

登录 · 发表于 2020-10-20 13:26

一旦明白这一点，就知道教科书上所说的晶体管频率特性图，如下图所示：

但是如果做实验测量，学生一味模仿教科书，说【实测数据和理论预测较好地吻合】，那就弄巧成拙了。

实测数据是不可能出现-6dB/Oct斜率的直线的，因为实际管子模型是楼上的最后一个图，此时出现就说明极有可能是数据造假。

发表于 2020-10-20 14:54

除了集成电路设计，单管电路几乎没有人用了

登录 · 发表于 2020-10-20 15:34

steelen 发表于 2020-10-20 14:54
除了集成电路设计，单管电路几乎没有人用了

30年前就预言模电将要被数电取代而消失，现在不但没实现，IEEE核心期刊上硬件部分所占比例还增大了。

即便是以单片机为核心的电路，模电功夫弱一点，电路调试也费劲。
以立创的电子设计大赛为例：

发表于 2020-10-20 16:03

图不清晰

从晶体管的基区电阻看低频电路和高频电路的合二为一性

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