求助片外存储器读写问题

发表于 2020-11-30 16:32

本帖最后由 HLHG 于 2020-12-10 15:13 编辑

1、请教一个问题，利用铁电存储器FM24CL04B存储一个变量，现在把这个变量存储在FM24CL04B的地址0x01中，
具体应用是这样的，可以这样反复的读写吗？

发表于 2020-11-30 17:04

铁电可以反复读写，楼主的问题属于编程有误，检查程序吧。

发表于 2020-12-1 08:45

铁电写入极快不需延时，肯定程序有问题

发表于 2020-12-1 09:11

铁电一般写进去后再读取来就立即是新值了。
另外铁电虽然擦写次数非常高，但也不是无限次数的，我记得读和写都分别算在读写寿命内的。
不建议在正式产品中进行这样死循环的读写。

@chunyang · 发表于 2020-12-3 11:57

chunyang 发表于 2020-11-30 17:04
铁电可以反复读写，楼主的问题属于编程有误，检查程序吧。

实在找不出原因，能不能指教一下，程序已上传，谢谢。

发表于 2020-12-3 11:57

ningling_21 发表于 2020-12-1 08:45
铁电写入极快不需延时，肯定程序有问题

能不能帮忙看一下程序，程序已上传，谢谢。

发表于 2020-12-3 11:58

dalarang 发表于 2020-12-1 09:11
铁电一般写进去后再读取来就立即是新值了。
另外铁电虽然擦写次数非常高，但也不是无限次数的，我记得读和 ...

实际应用中不会一直循环使用，现在用模拟I2C，实在找不到原因，请指教一下行吗，程序已上传。谢谢。

发表于 2020-12-3 13:06

HLHG 发表于 2020-12-3 11:57
能不能帮忙看一下程序，程序已上传，谢谢。

5US延时准确吗

发表于 2020-12-3 13:13

HLHG 发表于 2020-12-3 11:58
实际应用中不会一直循环使用，现在用模拟I2C，实在找不到原因，请指教一下行吗，程序已上传。谢谢。 ...

读写函数可能在没有应答信号时退出导致读写失败

登录 · 发表于 2020-12-3 13:26

你这样截图一堆我也懒得看代码，直接把现成的代码给你好了。
这个我也忘了原来是从哪复制来的，自己改了改在MB85RC16正常使用，你拿去用吧。
改下头文件中的引脚定义就可以，供外部调用的函数就3个，不至于看不懂吧

发表于 2020-12-10 15:15

ningling_21 发表于 2020-12-3 13:06
5US延时准确吗

延时没问题，感谢。程序没问题，是自己理解问题。谢谢。

发表于 2020-12-10 15:16

dalarang 发表于 2020-12-3 13:26
你这样截图一堆我也懒得看代码，直接把现成的代码给你好了。
这个我也忘了原来是从哪复制来的，自己改了改 ...

谢谢了。

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