这个电路的反馈系数F等于C2/C3, 电压放大倍数A = β*RL’/rbe,其中RL’ = Rc//(Ri/F^2)。
我们是正弦波要能够起振，是不是 AF的值要大于1呀。如果我们通过调整C2/C3的值，就会出现一个相悖的结论，调大了F，结果A却小了。那么A和F的乘积变化的趋势反而不明朗了。实际实验中，C2/C3的值既不能太大，也不能太小，具体指只能靠测试来设定。电容三点式震荡电路，相对来说它的缺点也在于此，通过调节电容去调节频率的话，会影响起振条件，但是通过调节电感办法来调节震荡频率，实现上又会比较困难。
通过LC谐振点的公式来看，如果我们要想提高震荡的频率，只能是不断减小C2、C3以及电感L。但是C2和C3减小到一定程度的时候，比如和电路的杂散电容一个级别的时候，我们就很难确定震荡的频率了，因为杂散电容的电容值几乎很难确定。那么我们有没有其他办法来解决这个问题呢？如果我们把C2、C3电容的容值设定在远大于杂散电容，那么杂散电容对电路的影响是不是就可以忽略掉了，电路的震荡频率是不是就会相对来说非常稳定。那么问题来了，震荡的频率如何提高呢？具体的措施，就是在电感上串联一个小电容C，同时C<<C2, C<<C3, 这样震荡频率只和这个C有关，f = 1/(2πsqrt(LC))。电容C2和C3这里只是起到分压作用而已。整体的设计，如下图所示。
分析完了电容三点式震荡电路，那么我们看一下晶振怎么参与进来。因为我们前面已经提到了，我们单片机电路的晶振模块本质上也是电容三点式震荡电路。要看清楚这个问题，我们必须要了解晶振的高频模型，看看晶振的物理特性到底是什么。
实际上，晶振的高频等效模型如上图所示。这里的L，可以等效为晶振的惯性，这个值大概是几mH到几十mH。电容C等效为晶振的弹性，这个电容比较小，容值大概在0.01pF到0.1pF。R等效为晶振的摩擦损耗，这个值大概在100R，当然理想情况下这个值是零。电容C0等效为晶振的静态电容，它的大小和晶振的几何尺寸和极间面积有关，一般是几到几十个pF。那么实际上，晶振是惯性和弹性的结合体。结合我们前面提到的电容三点式振荡电路，我们更希望利用的其实是晶振的惯性部分，也就是电感部分对吧。在晶振组成的震荡电路中，震荡的稳定性主要是靠晶振本身的高Q值来稳定的，不是靠我们上面提到的那个思路，而且我们也不需要在外部震荡处那么高的频率，比如100Mhz的震荡。一般情况下，我们使用的是12Mhz的无源晶振，单片机内部的更高频次的震荡信号，是通过分频器和锁相环来实现的。
既然，我们使用的是晶振的惯性部分，那么我们就来分析一下，在什么频率下晶振会更多的呈现惯性，也就是感性。
当晶振的LCR电路发生谐振的时候，这个回路呈现纯阻性，等效电阻为R。谐振频率fs=1/(2πsqrt(LC))。当f低于fs的时候，C0这里起到主导作用，晶振呈现容性。当f大于fs的时候，LCR这条支路呈现感性。LCR这条支路将和C0发生并联谐振，谐振的频率fp = fs*sqrt(1+C/C0)，这个具体的公式大家可以下去推导一下，我们这里就不再做更深入的介绍了。大家可以看一下，因为C远远小于C0，所以fs和fp是不是无限接近呀。那么也就是说晶振只有在很窄的频率范围内，才会呈现感性。
回到我们前面提到的电容三点式震荡电路，晶振只在一个很窄的范围内呈现感性，而且受温度的影响比较小。那么是不是说用晶振组成的三点式震荡电路，它的频率会非常稳定呀。具体电路设计如下图所示。那这样，我们使用晶振搭建的电容三点式震荡电路就算完成了。
那么下一个任务就要回答，单片机中的晶振电路一般是如何实现的呢？我们以80C51来距离，它震荡电路的框图大概是下面这个样子。
我们大体可以把这个反相器等效成一个三极管，外部晶振和电容组成的单元完成了选频和信号的相移。反相器输入端的信号是流经R1的电压信号和流经R2的信号的叠加，R1和R2这里可以看成一个是正反馈电阻和一个正反馈电阻，这两个电阻在这里应该是起到限幅的作用的。有了正反馈，有了选频网络，有了限幅模块，那么我们的晶振电路是不是就可以输出正弦波信号了呀。
上面我们花了较大篇幅讲解了晶振的起振原理，那么了解这些东西对我们设计晶振模块有什么指导意义呢？
比如有时候，我们这两个电容不焊接，晶振也能起振。那这是为什么呢？通过我们前面的分析，晶振起振必须要有这两个电容的参与是吧，要不然无法实现选频和信号反向。但是这里究竟是为什么呢？主要的原因就是因为其实对于C1和C2来说，本身这两个电容就很小，比如我们常用的一般是12pF，15pF等等。有时候，杂散电容就会接近这个级别。那么这个时候，晶振也会起振。但是大家注意呀，这种情况下，晶振起振只是特殊情况呀。我们不能通过这种方式去节省成本。
电容C1两端的电压对反相器的输入起到比较重要的作用。如果C1过大，同样的电流加在C1上的电压信号是不成就变小了，这是不是相当于反馈信号变弱了？其实这个对晶振起振是相当不利的。反过来说，如果C1过小，它本身存储的能量也就小，也就更容易受到外界的干扰。C2的作用和C1正好相反。那么在布板的时候，如果是双面板，而且比较厚的话，分布电容影响还不大。如果是高密度多层板，那么就需要考虑分布电容的影响了。因此对于环境相对比较复杂的工控类的项目，建议最好不用使用无源晶体振荡器，选择有源的晶振就可以了。
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