自锁电路为什么误触发？

登录 · 发表于 2022-1-20 20:22

说NPN加PNP可以组成自锁电路。
1。我总2组管子做了测试，门极悬空时，AK只要加电就触发了，不知为什么？
2。而且门极接一个电阻910K的电阻到地也试过，会好一点，但还是会上电误触发。请大师指点一下

发表于 2022-1-20 21:10

king5555 发表于 2022-1-20 20:54
两小无猜。

我这样试过，加1K的也会误触发。就是上电瞬间会触发，如果电压1V，1V往上加就不会出发。感觉是电容的影响。但是我在你的位置也加了2个10nF的电容，感觉也是没什么效果

发表于 2022-1-20 21:56

G接哪里的？是不是上电瞬间G有一个高电平？

发表于 2022-1-20 22:42

除了以上要求，NPN增益过高也会导致这个问题，一般会采用NPN的EC倒置使用，电流放大倍数会小到20-30左右。
现在技术进步了，一般电流放大倍数都在200-400，需要重视这个问题。

发表于 2022-1-20 23:32

并联 BE 的电阻必须小于1k。

发表于 2022-1-21 00:00

king5555 发表于 2022-1-20 22:14
先确定晶体管没坏丶设接错，不要用大林顿晶体管。
C1通常470pF以上，以不影响触发为原则。 ...

在BE接了一个1K电阻，同时并联一个20nF的电容。搞定了，应该是CE结电容过大导致，漏流过大导致

发表于 2022-1-21 07:25

应该是出现竞争冒险现象。

发表于 2022-1-21 09:29

如5楼那样，每个三极管的B-E极都并联电阻电容，C极都串1个电阻；最好在+端 -端也并联个电容。

发表于 2022-1-21 10:19

这类电路，我在三极管BE极接到几K电阻，没遇到会误触发的。

发表于 2022-1-21 15:00

学习学习

发表于 2022-1-21 15:38

误触发不正常吗？
三极管都有漏电流

发表于 2022-1-21 17:59

Iceo ，结电容的位移电流，
过高的 δV/δt ，可控硅有误开通的风险。

发表于 2022-1-21 18:06

PUT 不会有这问题，因它的用法是慢上电，相当于软启动。

发表于 2022-1-21 21:50

本帖最后由 NK6108 于 2022-1-21 22:38 编辑

PUT模式，两管皆可用，刚上电时加在发射结的是反偏。

发表于 2022-1-26 10:54

这是三极管内部结电容的问题
在DV/DT足够大的时候肯定会误触发的
可控硅都有这样的指标
三极管做的，这个指标很难控制的

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