[技术讨论] NMOS管实现双向电平转换,假如用AO3400,

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 楼主| QWE4562009 发表于 2022-7-28 11:42 | 显示全部楼层
gx_huang 发表于 2022-7-23 09:43
选合适的NMOS,那种结电容小的VGS小的,3400估计不行结电容太大,7002的话VGS大了一些不是很好 ...

有有没有推荐
gx_huang 发表于 2022-7-29 09:51 | 显示全部楼层

类似2SK3019之类的,VGS很小,结电容也很小
 楼主| QWE4562009 发表于 2022-7-29 10:27 | 显示全部楼层
gx_huang 发表于 2022-7-29 09:51
类似2SK3019之类的,VGS很小,结电容也很小

也有PF级别  不知道能不能找到更小的
290399937 发表于 2022-7-29 17:32 来自手机 | 显示全部楼层
10mA不到的东西,小一点MOS不香吗
zlf1208 发表于 2022-7-30 15:28 | 显示全部楼层
本帖最后由 zlf1208 于 2022-7-30 15:30 编辑

10年前我仔细检索过超高频的MOSFET,输入电容都在100p以内,附件是打包的datasheets,不知道还能否买到,你自己试试看吧。

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zlf1208 发表于 2022-7-30 15:49 | 显示全部楼层
这个附件详细分析了IIC端口电平转换电路,还推荐了几款小输入电容的MOSFET及其对应的测试波形,频率比较高,在1MHz左右

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gx_huang 发表于 2022-7-30 21:14 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2022-7-29 10:27
也有PF级别  不知道能不能找到更小的

这2个是LRC的,应该比较好买,和很多厂家的兼容。7002注意VGS大小,不同厂家后缀性能有差别

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 楼主| QWE4562009 发表于 2022-8-2 15:58 | 显示全部楼层
直接用电平转换芯片得了?
 楼主| QWE4562009 发表于 2022-8-10 17:22 | 显示全部楼层
zlf1208 发表于 2022-7-20 13:30
I2C通讯端口在输出状态时相当于OC门,低电平时低阻,从负载吸入电流,高电平时端口处于高阻,MOS管输入电容 ...

100K是如何计算出来的呢

评论

这个问题前面不是回答过了吗?!我26楼的文章读了吗?还不明白?  发表于 2022-8-11 12:43
tianxj01 发表于 2022-8-11 14:24 | 显示全部楼层
IIC3.3V和5V,把上拉电阻接3.3V,直接用,考虑到速度速率的话,适当减小上拉电阻,我都是这样用,从来没出过问题,速度嘛400kHz。
 楼主| QWE4562009 发表于 2022-8-15 16:43 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2022-8-11 14:24
IIC3.3V和5V,把上拉电阻接3.3V,直接用,考虑到速度速率的话,适当减小上拉电阻,我都是这样用,从来没出 ...

上拉电阻不接5V?
tianxj01 发表于 2022-8-17 12:26 | 显示全部楼层
QWE4562009 发表于 2022-8-15 16:43
上拉电阻不接5V?

对啊,必须接3.3V,这样,5V端的能正确识别,关键是最高脉冲电压是3.3V,安全可靠。

评论

@QWE4562009 :这可不是理论分析,实际上,我5V单片机,3.3V的IIC EEPROM芯片就是这样连接的,就像日常的同电压IIC一样的用,没有任何附加成本,完美跑400KHz时钟,一切OK。 说起来原理也很简单,IIC敏感的ACK应答的对地的,其他信号当上拉接到3.3V,也就是一系列的3.3V的IIC波形包括时钟和数据,很显然,3.3V已经可靠的超过5V单片机逻辑1电平,(一般2.5V以上即认为高电平)所以...  发表于 2022-8-18 14:49
@QWE4562009 :当开漏管子截止,则上拉5V的电阻,就会对3.3V的IIC输入端形成回路,CMOS IO的寄生二极管,会将该电流流向3.3V的VCC,当该电阻够比较小将导致3.3Vcc被抬高,哪怕不是这样,只是3.3v芯片的IO承受了不允许的对Vcc导通电压,很可能导致端口失效。  发表于 2022-8-18 14:43
接5V有哪些风险  发表于 2022-8-17 18:29
 楼主| QWE4562009 发表于 2022-8-19 14:26 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2022-8-17 12:26
对啊,必须接3.3V,这样,5V端的能正确识别,关键是最高脉冲电压是3.3V,安全可靠。 ...

你是直接这样接啊  能正常通讯?一般都是要电平转换的呀  这种
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