[技术问答] N9H26上电后串口显示DRAM initial fail

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 楼主| classroom 发表于 2022-9-9 09:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
N9H26K63 上电后串口显示:DRAM init .. 1f1f1f1f1f1f
程序运行到loader处(Execute Address 0x00900000 )fail
probedog 发表于 2022-9-9 09:47 | 显示全部楼层
串口表示IBR calibration DRAM fail (1f1f1f1f1f1f表示fail,2p表示pass)

1、如果每一次上电都会fail,与电压的相关性比较大

内部的DRAM由memoryVDD提供电压,首先需要确认MVDD电压的准确性和稳定性

(在大电流时电压能维持,在温度变化时电压能保持稳定)

2、确认烧录时使用的TurboWriter和当前的IC版本一致

3、如果出现了温度的相关性,比如运行一段时间容易fail,可能与内部memory的特性有关。 解決方式IBR 跑低頻. 到Loader 跳高頻. 中间需要通过 Turbo-Writer来调解DRAM的参数,可以与软件工程师联系获取与之相对应的turboWriter.ini和loader部分的程序,更新后再测试,此时DRAM出现1f1f1f的信息可以忽略。
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