求教达人一堆问题~ 首先 磁损密度pv 正比于 磁通密度值Bm以及 频率f，
现在想选择 一个合适磁通密度值Bm 及相应的磁导率u 来计算所需AP值以及磁芯体积， 那么这3个图怎么用？？
第三个图 （磁损密度VS温度曲线）是不是指 磁芯温度越高，则允许的磁损密度pv越小？
假定工作频率60K 是不是该如下设计？
（1） 由第三个图（虽然默认为100K频率测试值，但依旧用他）为了Bm在2000GS左右时，磁芯温度不超过100C，则 允许 磁损密度 不许超过 360mW/cm^3 ，
（2）接着代入第二个图，大致虚拟出一条60K的曲线，则为了磁损密度不超过 360mW/cm^3则 允许的最大磁通密度值Bm约2400GS，
（3）则再由第一个图，60C或100C的 Bm=2400GS处的 磁导率u 约为 2400GS/0.8 oe=3000 ~
以上过程的 步骤（1）中，直接拿 100K的曲线来估算 60K工作频率的 磁损密度 行不行？
谢谢了 |
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