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[其它应用] 中颖8位MCU EEPROM使用注意事项

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 楼主| 小夏天的大西瓜 发表于 2023-2-16 22:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
编程, AC, 注意事项, 8位MCU, 使用, EEPROM
本帖最后由 小夏天的大西瓜 于 2023-2-16 22:04 编辑

EEPROM（Electrically Erasable Programmable readonly memory）是指带电可编程只读存储器，是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
中颖Flash型MCU都集成有EEPROM，EEPROM用来存放用户数据。EEROM大小可以通过option（代码选项）选择0~4K不等。EEPROM按照扇区进行划分，每个扇区的大小512字节（较早的产品，每个扇区大小256字节），最多支持8个扇区。
中颖的EEPROM编程/擦除次数：至少100000次
中颖的EEPROM数据保存年限：至少10年
中颖EEPROM的操作原则：
1 必须关闭所有中断
如果在操作EEPROM期间，不关闭中断，可能会导致程序跑飞或者其它异常情况；中颖MCU要求对于EEPROM的擦除和编程，需要按照规定关闭所有中断(EA=0)，等到编程完成后再打开中断。

2 如何访问EEPROM

中颖芯片对于EEPROM的读、擦和写都是通过寄存器FLASHCON的FAC位置1来操作。当FAC=0时，MOVC指令或者SSP功能访问Main Block区域;当FAC=1时，MOVC指令或者SSP功能访问类EEPROM区域或信息存储区。




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 楼主| 小夏天的大西瓜 发表于 2023-2-16 22:02 | 显示全部楼层
本帖最后由 小夏天的大西瓜 于 2023-2-16 22:05 编辑

3 操作EEPROM前，清WDT
在对EEPROM的操作前，清WDT,保证操作期间不溢出

4  抗干扰
同时，为了抗干扰，防止误操作，EEPROM编程可以参考如下例程：
复制
  1. uchar ssp_flag；
    


  2. 

  3. voidEEPromSectorErase(UCHAR nAddrH)// 扇区擦除
    

  4. {                                                                                                    
    


  5. 

  6.   ssp_flag= 0xA5;
    


  7. 

  8.   _push_(IEN0);//中断控制压栈
    


  9. 

  10.   IEN0&=0x7F;//关总中断   
    


  11. 

  12.   FLASHCON = 0x01;  //访问EEPROM区
    


  13. 

  14.   RSTSTAT = 0;    //清WDT                                                      
    


  15. 

  16.   XPAGE= nAddrH<<1 ;                                                  
    


  17. 

  18.   IB_CON1   = 0xE6;  
    


  19. 

  20.   IB_CON2   = 0x05;
    


  21. 

  22.   IB_CON3   = 0x0A;
    


  23. 

  24.   IB_CON4   = 0x09;     
    


  25. 

  26.   if(ssp_flag!=0xA5)//增加flag判断，增强抗干扰
    


  27. 

  28.    goto Error;
    


  29. 

  30.   IB_CON5   = 0x06;
    


  31. 

  32.   _nop_();                              
    


  33. 

  34.   _nop_();
    


  35. 

  36.   _nop_();  
    


  37. 

  38.  Error:
    


  39. 

  40.  ssp_flag= 0;
    


  41. 

  42.  IB_CON1= 0x00;
    


  43. 

  44.  IB_CON2= 0x00;
    


  45. 

  46.  IB_CON3= 0x00;
    


  47. 

  48.  IB_CON4= 0x00;
    


  49. 

  50.  IB_CON5= 0x00;
    

  51.             
    

  52.   FLASHCON= 0x00;//切回FLASH区
    


  53. 

  54.  _pop_(IEN0);//恢复总中断
    


  55. 

  56. }
    


  57. 

  58.  voidEEPromByteProgram(UCHAR nAddrH,UCHAR nAddrL, UCHAR nData)  // 扇区编程
    


  59. 

  60. {
    


  61. 

  62.   ssp_flag= 0x5A;
    


  63. 

  64.   _push_(IEN0); //中断控制压栈
    


  65. 

  66.   IEN0&=0x7F;//关总中断
    


  67. 

  68.   FLASHCON= 0x01; //访问EEPROM区
    


  69. 

  70.   RSTSTAT = 0;    //清WDT
    


  71. 

  72.   XPAGE= nAddrH;                                                  
    


  73. 

  74.   IB_OFFSET= nAddrL;
    


  75. 

  76.   IB_DATA= nData;  // 烧写内容
    


  77. 

  78.   IB_CON1   = 0x6E;
    


  79. 

  80.   IB_CON2   = 0x05;
    


  81. 

  82.   IB_CON3   = 0x0A;
    


  83. 

  84.   IB_CON4   = 0x09;
    


  85. 

  86.   if(ssp_flag!=0x5A) //增加flag判断，增强抗干扰
    


  87. 

  88.   goto Error;
    

  89.                        
    

  90.   IB_CON5   = 0x06;
    

  91.              
    

  92.   _nop_();
    


  93. 

  94.   _nop_();
    


  95. 

  96.   _nop_();
    


  97. 

  98.   _nop_();
    


  99. 

  100.  Error:
    


  101. 

  102.  ssp_flag= 0;
    


  103. 

  104.  IB_CON1= 0x00;
    


  105. 

  106.  IB_CON2= 0x00;
    


  107. 

  108.  IB_CON3= 0x00;
    


  109. 

  110.  IB_CON4= 0x00;
    


  111. 

  112.  IB_CON5= 0x00;
    


  113. 

  114.  FLASHCON= 0x00; //切回FLASH区
    


  115. 

  116.  _pop_(IEN0); //恢复总中断




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tpgf 发表于 2023-3-3 11:36 | 显示全部楼层
在任何型号的单片机上操作eeprom都需要关闭中断
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qcliu 发表于 2023-3-3 11:47 | 显示全部楼层
我们在写数据的时候必须保证写保护的正确使用
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drer 发表于 2023-3-3 12:04 | 显示全部楼层
还得注意读写数据的读出写入地址逻辑关系
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coshi 发表于 2023-3-3 12:15 | 显示全部楼层
读数据最后一个字节必须回应“非应答位”
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kxsi 发表于 2023-3-3 13:08 | 显示全部楼层
要关注通信过程中的时序关系以及通信速率
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wiba 发表于 2023-3-3 13:22 | 显示全部楼层
访问EEPROM必须使用汇编指令吗？是不是c语言也可以啊
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OKAKAKO 发表于 2023-3-7 17:25 | 显示全部楼层
访问EEPROM应该用的汇编吧？有清楚的吗
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