MOS管关断感性负载的保护机制

发表于 2012-4-27 09:31

看到一芯片的内部结构有图中红色框中的电路部分，提到在外接感性负载时，会产生反电动势，而内部的Z1和D1可以起到保护作用，那保护的原理是什么

登录 · 发表于 2012-4-27 09:33

这是电路图

发表于 2012-4-27 09:43

似乎应该是PMOS....

这个应该是用来限制Ugs。

发表于 2012-4-27 09:45

Q1才是保护感性负载的

登录 · 发表于 2012-4-27 10:16

这是datasheet里的电路图

发表于 2012-4-27 11:26

D1和Z1是限制Ugs防止Ugs过大，Q1用于泄放感性负载关断瞬间产生的大电流从而保护MOS管的

发表于 2012-4-27 12:46

D1和Z1是怎样防止Ugs过大的呢？
6# qq609048002

登录 · 发表于 2012-4-27 12:49

这是该部分的电路说明，从这上面看好像是为了防止GS之间的PN结因高压而雪崩击穿的，但是电压方向又不对了。搞不懂？

发表于 2012-4-27 13:34

因为是NNOS，如果S极感应出负高压，而G极又被D1、Z1钳住，所以UGS>0，然后NMOS导通。

发表于 2012-4-27 14:25

qq609048002 完全就没看 5楼的管型瞎扯蛋了。
9楼说到点子上了。当由于感性负载使NMOS管的源极(S)出现负压，且大于Zds所钳制的电压，即源极电压小于(Vs-Vzds)时，Vzd导通，进而使NMOS管导通，给感性负载提供续流回路，以保护芯片的端口。

发表于 2012-4-27 17:10

那这样的话会不会出现一种情况是，源级虽然产生了负压，但是其幅值较小，导致栅级跟源级之间的电压值较小而不能使MOS管导通。

发表于 2012-4-28 09:03

顶一下，如果会有上面的情况的话，那如果外接感性负载的话外面一定要接续流二极管了。

发表于 2012-4-28 14:58

同意4楼，9楼。
=============================
感性负载关断后，磁场储能需要一个辞放的通道，一般会采用专门的消磁电路，如：RC，RCD，D，有源钳位等；
本案的应用，则勿需专门的消磁电路，当驱动脉冲关闭后，感性负载电流会下降，自感电动势上负下正，让NMOS处于恒流区消耗磁场能量。直到消磁完成后自感电动势消失，实现软关断。保护NMOS不被击穿。

发表于 2012-4-28 15:10

感谢楼上的回复，基本明白了，等再实验试一下。

MOS管关断感性负载的保护机制

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