作为市面上第一款额定电压达到2000V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。
CoolSiC™ MOSFET具备一系列优势。这些优势包括碳化硅开关中的最小栅极电荷和器件电容、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗，以及无阈值通态特性等。
英飞凌独特的CoolSiC™ MOSFET可以带来额外的优势。通过最先进的沟槽设计实现出色的栅氧化层可靠性，一流的开关和导通损耗，最高跨导电平（增益），Vth=4V的阈值电压，以及短路稳定性。这是您尽可信赖的革命性器件。
所有这一切带来的是强大的碳化硅MOSFET技术，非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如LLC和ZVS，可以像IGBT或MOSFET一样使用易于使用的驱动器进行驱动。由于能在高开关频率下带来最高效率，从而可以减小系统尺寸、增大功率密度，并确保高可靠性，延长使用寿命。
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