英飞凌的SiC MOS不需要负压吧？

发表于 2024-10-30 19:23

本帖最后由中国龙芯CDX 于 2024-10-30 19:24 编辑

如果单纯从抑制寄生导通的角度看，对于一个设计良好的电路，英飞凌SiC MOSFET是不需要用负压关断的。但是负压对关断损耗有影响。SiC MOSFET的Vgs负压对Rdson和Esw的影响Vgs负压不同，其Rdson不变
Vgs负压越低，其Esw越低(Eoff)

因此，如果选择Vgs=-3V关断，对于SiC的Rdson无所助益，但是对关断损耗Eoff的减小还是比较明显的，
尤其对一些只有关断损耗Eoff的场合收益明显。同时选择Vgs=-3V对降低开通时刻的寄生导通风险也是立竿见影。

发表于 2024-10-30 19:45

英飞凌SiC MOSFET是不需要用负压关断的

发表于 2024-10-30 23:52

如果选择Vgs=-3V关断，对于SiC的Rdson无所助益

发表于 2024-10-31 07:47

正偏置还是负偏置？

发表于 2024-12-2 16:45

从抑制寄生导通和关断损耗的角度来看，负压关断对于SiC MOSFET具有一定的影响

发表于 2024-12-2 20:46

没看到负压的描述

发表于 2024-12-23 23:48

是的，英飞凌的SiC MOSFET不需要负压。

发表于 2024-12-25 07:17

SiC MOSFET是零栅极电荷的器件，因此不需要额外的负压来耗尽通道。

发表于 2024-12-25 08:33

SiC MOSFET具有更快的开关速度和更高的效率。

发表于 2024-12-25 10:30

一般来说是不要负压的吧

发表于 2024-12-25 12:33

你主要是看电路设计啊，看芯片的设计啊

发表于 2024-12-25 14:55

不知道用不用负压电源，一般情况运放才会用到负压

发表于 2024-12-25 15:36

你这个算是MOS应该不会有负压存在吧

发表于 2024-12-25 17:31

可以不用负压的啊，负压生成多麻烦啊

发表于 2024-12-25 19:23

其实开关的的切换就调高点驱动就好了

发表于 2024-12-25 20:18

一般是不用负压的，主要负压很麻烦而且负压不好生成啊

发表于 2025-1-31 23:48

一般情况下不需要负压

发表于 2025-2-27 03:07

一般来说是不要负压的

发表于 2025-4-30 19:18

负压关断通过迅速地移除栅极电荷和加速载流子退出晶体管的沟道，能够有效减少关断过程中的能量损耗。

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