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[资料干货] 国产SiC碳化硅功率器件34mm SiC MOSFET半桥模块产品介绍

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 楼主| yangqiansic 发表于 2025-1-12 18:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
os, ic, MOSFET, MOS, FET

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yangqiansic
IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高开关频率。进一步的，可以优化滤波器组件，相应的损耗会下降，从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率...  发表于 2025-1-12 18:58

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