本帖最后由 Gfan 于 2025-3-7 14:04 编辑
GALT61120芯片内部的损耗主要包括导通损耗、静态损耗等：
◆ 导通损耗Pcond
GALT61120内部的MOS管，导通时会有一定电阻，产生导通损耗。计算公式 为Pcond=（ILED）2*RDS(on)，其中ILED是LED的正向电流，RDS(on)是 功率晶体管的导通电阻。
参数获取：ILED可通过测量得到，RDS(on)可从芯片的数据手册中 查找。
◆ 静态损耗Pstatic
静态损耗是芯片在无负载或轻负载情况下消耗的功率，主要由芯片内部的偏置电 路、控制电路等消耗。静态损耗相对较小，可从数据手册中获取典型值Pstatic。
◆ 计算芯片功耗Ppower
芯片功耗Ppower=Pcond+Pstatic
|
楼主
