Rdson 过大：MOSFET 在导通时的 导通电阻过高，导致功耗增加。
功耗计算：P = I² × Rdson
Vgs 不够高：如果 NMOS 的 Vgs 没有达到推荐值，某些 MOS 需要 10V-12V 以上才能完全导通，会导致 NMOS 处于半导通状态，增加功耗。
MOSFET 额定电流太小，导致 过流发热。
解决方案：
选择 低 Rdson 的 MOSFET，比如 Rdson < 10mΩ 的型号。
适当提高 PWM 驱动电压，确保 NMOS 彻底导通 可使用 12V 供电驱动。
选择 额定电流更高的 MOSFET，以保证足够的余量。
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