用N沟道还是P沟道

发表于 2025-4-30 11:21

低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS。根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电床，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。

发表于 2025-6-7 23:03

N-MOS的导通条件为：栅极电压高于源极电压，且差值超过阈值电压

发表于 2025-6-8 09:25

自由电子，迁移率较高，因此导通电阻较小，开关速度快

发表于 2025-6-8 11:35

P-MOS常用于高端驱动（源极接电源VCC），或需要反向电压控制的场景

发表于 2025-6-8 14:06

N-MOS导通电阻小，开关速度相对来说比较快

发表于 2025-6-8 16:33

N-MOS可以应用在低端开关中，源极接地，栅极通过信号控制漏极负载

发表于 2025-6-8 19:11

P-MOS的

驱动要求为

需栅极电压低于源极

发表于 2025-6-8 21:41

N-MOS的局限性：无法直接用于高端驱动（需额外升压电路），且栅极电压需高于源极

发表于 2025-6-9 09:18

在CMOS电路中，N-MOS和P-MOS组合使用，可兼顾速度与功耗

发表于 2025-6-9 11:41

根据电路需求（如开关位置、速度要求、功耗限制）选择合适的类型，或结合两者优势设计CMOS电路。

发表于 2025-6-9 13:55

N管和P管的驱动要求是正好相反的

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