[无线射频] 去耦电容如何配置

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1988020566 发表于 2025-10-20 22:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
了解直流电源的人都知道,其负载变化会引起电源噪声,举个例子,如:当数字电路从一个状态转换为另一种状态时,将在电源线上产生一个很大的尖峰电流,形成瞬变噪声电压,因此需要配置去耦电容来抑制负载噪声,提高系统的可靠性,那么该如何做?
1、去耦电容的引线不宜过长,特别是高频旁路电容(不能带引线);

2、对于噪声能力弱、管段时电流变化较大的电子器件和ROM、RAM等存储元件,应在芯片的电源线(Vcc)和地线(GND)间之间配置去耦电容;
3、电源输入端跨接一个10-100uF的电解电容器,若PCB板空间允许,可使用100uF以上的电解电容器抗干扰效果会更好;
4、可为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器,若遇到PCB板空间不足问题,可在每4-10个芯片配置一个1-10uF钽电解电容器,这种器件的高频阻抗特别小,一般在500kHz-20MHz范围内,阻抗小俞1Ω,而且漏电流很小,是在0.5uA以下。

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