[无线射频] 去耦电容如何配置

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1988020566 发表于 2025-10-20 22:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
了解直流电源的人都知道,其负载变化会引起电源噪声,举个例子,如:当数字电路从一个状态转换为另一种状态时,将在电源线上产生一个很大的尖峰电流,形成瞬变噪声电压,因此需要配置去耦电容来抑制负载噪声,提高系统的可靠性,那么该如何做?
1、去耦电容的引线不宜过长,特别是高频旁路电容(不能带引线);

2、对于噪声能力弱、管段时电流变化较大的电子器件和ROM、RAM等存储元件,应在芯片的电源线(Vcc)和地线(GND)间之间配置去耦电容;
3、电源输入端跨接一个10-100uF的电解电容器,若PCB板空间允许,可使用100uF以上的电解电容器抗干扰效果会更好;
4、可为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器,若遇到PCB板空间不足问题,可在每4-10个芯片配置一个1-10uF钽电解电容器,这种器件的高频阻抗特别小,一般在500kHz-20MHz范围内,阻抗小俞1Ω,而且漏电流很小,是在0.5uA以下。

claretttt 发表于 2025-11-5 10:43 | 显示全部楼层
MCU的VCC电压瞬间被拉低,可能导致电压低于工作阈值,造成程序跑飞或复位。
houjiakai 发表于 2025-11-5 13:47 | 显示全部楼层
对于对电源噪声敏感的芯片,可增加1μF至10μF的电解电容或钽电容。
alvpeg 发表于 2025-11-5 14:45 | 显示全部楼层
容值搭配:“小 + 大” 组合,覆盖宽频
timfordlare 发表于 2025-11-5 16:20 | 显示全部楼层
电容紧贴IC,电源和地通过宽而短的走线或直接通过焊盘连接。环路面积极小,效果最佳。
benjaminka 发表于 2025-11-5 21:16 | 显示全部楼层
在电源输入端直接跨接大容量电解电容,有效滤除低频噪声。
lzmm 发表于 2025-11-6 20:48 | 显示全部楼层
电容必须尽可能靠近芯片的电源引脚放置,目标是最小化电流回路面积。
geraldbetty 发表于 2025-11-7 09:12 | 显示全部楼层
布局的重要性甚至超过容值的选择!错误的布局会使去耦电容完全失效。
hilahope 发表于 2025-11-8 11:40 | 显示全部楼层
低频噪声(<1MHz)由大容量电容(如10-100μF电解电容)滤除,高频噪声(>1MHz)由小容量电容(如0.01-0.1μF陶瓷电容)处理。
ccook11 发表于 2025-11-8 14:01 | 显示全部楼层
对于噪声敏感度高或开关时电流变化剧烈的器件 ,直接在Vcc与GND之间接入去耦电容,确保电源稳定,减少干扰。
louliana 发表于 2025-11-8 20:56 | 显示全部楼层
为每个集成电路芯片配置至少1个0.01μF的陶瓷电容器,紧贴芯片电源引脚放置,快速响应高频噪声。
ccook11 发表于 2025-11-9 08:01 | 显示全部楼层
参考电压引脚旁单独放 1 个0.01μF
primojones 发表于 2025-11-9 13:22 | 显示全部楼层
电容位置:“就近放置,短直连接”
everyrobin 发表于 2025-11-9 16:33 | 显示全部楼层
电容离IC很远,用又细又长的走线连接。环路面积巨大,去耦效果大打折扣。
gygp 发表于 2025-11-10 09:50 | 显示全部楼层
增加电容数量可推迟高频阻抗峰值出现,拓宽有效带宽‌
pmp 发表于 2025-11-10 12:50 | 显示全部楼层
通常为 10uF ~ 100uF的钽电容或陶瓷电容。
juliestephen 发表于 2025-11-10 16:55 | 显示全部楼层
容值选择 - “大小搭配,干活不累”
sesefadou 发表于 2025-11-10 20:21 | 显示全部楼层
结合不同容值电容形成宽频滤波网络
timfordlare 发表于 2025-11-10 22:15 | 显示全部楼层
当PCB空间有限时,每4至10个芯片共享1个1μF至10μF的钽电解电容器
pixhw 发表于 2025-11-11 09:25 | 显示全部楼层
去耦电容的引线应尽量短,特别是高频旁路电容应避免使用长引线,以减少寄生电感和电阻,提高去耦效果。
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