三星、美光暂停 DDR5 报价引发的供应链焦虑，正加速国内存储芯片产能扩张 —— 合肥新晶圆厂已进入设备调试阶段，2026 年一季度将实现 30 万片 / 月的 DDR5 晶圆产能，全球市场份额有望从 8% 提升至 12%。这场国产存储的 “产能突围”，正为 PCB 行业打开本土配套窗口期，而这一切的核心，始终是国内存储芯片从 “依赖进口” 到 “自主供应” 的格局转变。
国产存储的 “产能增量” 直接创造 PCB 配套需求。一片 12 英寸 DDR5 晶圆需切割成约 5000 颗芯片，30 万片 / 月的晶圆产能将对应 15 亿颗 DDR5 芯片，这些芯片最终需通过 PCB 实现封装与应用。从产业链分工来看，每 1 亿颗 DDR5 芯片需配套约 200 万片 PCB（按单块 PCB 搭载 50 颗芯片计算），30 万片 / 月的晶圆产能将带动 3000 万片 / 年的 PCB 需求，这部分需求此前主要由中国台湾 PCB 企业承接，如今正逐步转向国内企业。2025 年四季度，国内 PCB 企业接到的国产存储配套订单同比增长 60%，部分企业的存储配套业务营收占比已从 8% 提升至 18%，这种增量完全由国产存储产能扩张所驱动。
“本土协同” 成为 PCB 配套的关键逻辑。国产存储芯片为降低运输成本与交付周期，倾向于选择与晶圆厂地理位置相近的 PCB 企业 —— 例如合肥晶圆厂，周边已聚集 5 家 PCB 企业，形成 “晶圆 - 封装 - PCB” 1 小时供应链圈。这种协同不仅是距离上的靠近，更是技术与产能的同步：PCB 企业需根据国产存储芯片的生产节奏调整产能计划，例如晶圆投产前 3 个月，PCB 企业需完成产能爬坡，确保芯片产出后能立即配套；同时，PCB 企业还需参与国产存储芯片的早期设计，例如根据芯片的引脚布局优化 PCB 布线，这让国内 PCB 企业得以深度融入国产存储产业链，摆脱过去 “被动接单” 的局面。
国产存储的“技术迭代” 进一步巩固 PCB 配套粘性。在扩产 DDR5 的同时，还在研发 HBM3 技术，计划 2026 年四季度实现量产。HBM3 采用 3D 堆叠架构，配套 PCB 需具备更高的层间精度与散热性能 —— 例如需采用 12 层以上 PCB，且铜箔厚度从 1oz 增至 2oz。国内 PCB 企业为承接 HBM3 配套订单，已提前投入研发，部分企业已完成 12 层 HBM3 配套 PCB 的样品测试，良率达 78%。这种 “技术同步” 让国内 PCB 企业与国产存储形成绑定关系：未来 HBM3 产能释放后，这些 PCB 企业将成为核心配套商，而这一切的基础，仍是国产存储芯片技术的持续突破。
不过，这种配套机遇也存在 “产能错配” 风险。若国产存储产能释放速度不及预期，PCB 企业的前期投入可能面临闲置；但长远来看，随着国内存储芯片自主化率从 25% 提升至 40%（2026 年目标），PCB 本土配套需求仍将持续增长，而这场由国产存储驱动的 PCB 配套升级，本质上是国内芯片产业链自主化的必然结果。 |
|
