G32M3101的Flash驱动及SRAM测试驱动

发表于 2026-2-7 13:59

禁止滥用动态内存SRAM 容量小，动态分配易导致碎片化，建议用静态数组替代

发表于 2026-2-7 15:16

第28行，这个移位操作，是在考虑大小端的问题吗？

发表于 2026-2-7 17:44

涡流远见者发表于 2026-2-7 15:16
第28行，这个移位操作，是在考虑大小端的问题吗？

8bit数据缓存，组成32bit数据再写入flash

发表于 2026-2-7 20:26

利用MCU的预取功能，提前加载即将执行的代码，提高运行效率。

发表于 2026-2-7 22:38

集成“MCU+LDO+栅极驱动器”三合一单芯片方案,进一步降低了系统成本和PCB面积,提升系统效率与可靠性。

发表于 2026-2-8 07:54

通过软件算法定期检测SRAM数据完整性，及时发现潜在故障。

发表于 2026-2-8 16:10

系统时钟匹配 Flash 等待周期

发表于 2026-2-8 18:48

Flash 操作前解锁、后锁定

发表于 2026-2-9 15:36

在深度休眠模式下，Flash内容可正常保存，但需注意电压跌落风险。

发表于 2026-2-10 11:04

Flash 为 NOR 型，只能从 1 写 0，不能从 0 写 1，必须先擦除再编程

发表于 2026-2-10 13:10

通过编译器选项强制分配特定段地址，防止越界访问

发表于 2026-2-10 15:15

初始化前 SRAM 内容不确定

发表于 2026-2-10 17:22

写入/擦除前必须解锁

发表于 2026-2-11 21:05

Flash 擦写过程中若被中断打断，会导致数据半写 / 扇区损坏，需在擦写前关闭全局中断，完成后恢复

发表于 2026-2-12 11:57

擦写前检测电源稳定性，若有掉电风险，立即终止擦写；关键数据建议双备份，避免单扇区擦写时掉电丢失

发表于 2026-2-12 14:30

G32M3101 的 Flash 擦写对电压、时钟、等待周期有严格要求，不满足会直接导致擦写失败 / 数据损坏

[APM32F0] G32M3101的Flash驱动及SRAM测试驱动