提高关断速度：
1楼图中，在Q1的BE极间并联二极管，方向是由E到B。
Q1基极地电平时，Q1关断，MOS管电荷经R4泄放到GND。
Q1基极高电平时，Q1导通，其BE间为正向电压，所以二极管不会导通。
这样，R5就可以使劲的再增加，比如100K增加分压。MOS管D极电压越高，其导通速度越快。而且，整个电路的静态功耗也比较小。
在R5变味100K时，R3也可以再增加以下，减小Q1基极为低电平时R3产生的功耗。
R4也可以适当增加一点，当然，也不用太多，否则，泄放时加在这上面的功率也有点大。
至于说D1，串联一个电阻用以消耗24V电感线圈产生感应产生的能量。光一个二极管，吸收能量也有限。
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