LC振荡问题

发表于 2013-4-19 10:49

maychang 发表于 2013-4-18 20:49
1、这两支电阻仅在电容充电时起作用，影响充电时间，在晶闸管触发后，这两支电阻与晶闸管或二极管并联， ...

谢谢老师的回答。
注：ROBE脉冲的时间，远远大于阻尼振荡的时间。所以本次LC振荡中，可控硅的门极一直是高电平，所以可控硅的应该是一直都处于触发状态的，能否直接把可控硅看成一个普通二极管？
疑问：
1 针对我刚才的前提，参考上述我20#的分析，我觉得其衰减损耗电阻没法直接得出。因为充电回路和放电回路的电阻不一样。

发表于 2013-4-19 11:07

feju 发表于 2013-4-19 10:49
谢谢老师的回答。
注：ROBE脉冲的时间，远远大于阻尼振荡的时间。所以本次LC振荡中，可控硅的门极一直是 ...

“能否直接把可控硅看成一个普通二极管？”
看成进入饱和状态的三极管更准确一些。

确实无法直接得出，也没有太大必要。二极管正向电阻本来就是近似说法，严格地说只能用曲线表示，而且在阻尼振荡的逐个周期中也在变化。要计算阻尼振荡衰减，比较实际的办法仍是测量衰减速度求平均值。

发表于 2013-4-19 11:30

maychang 发表于 2013-4-19 11:07
“能否直接把可控硅看成一个普通二极管？”
看成进入饱和状态的三极管更准确一些。

嗯啊，好的，谢谢啊，不过在讨论中，已经得到自己想要的答案楼，谢谢您的解答。:):)

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