请教一个N沟道EMOS－FET的基础知识，谢谢

发表于 2007-7-30 10:39

书上的内容：
1，沟道增强型mos场效应管，当栅源电压Vgs小于开启电压时，即未形成沟道，Vds作用下的漏极电流Id为0。为什么就没有电流呀，加上Vds时漏源之间应该会产生电场把，两极的耗尽层应会有变化，之间的p区会有扩散电流吧，大家怎么理解的。谢谢
2，预夹断后，继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。怎么理解阿

发表于 2007-7-30 17:02

发表于 2007-8-2 10:50

1，谁说没有的～不过小了点点，可以忽略掉
2，PN结耗尽层变厚，所以沟道变小

请教一个N沟道EMOS－FET的基础知识，谢谢

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