有关MOS管的问题

[复制链接]
5057|37
Lgz2006 发表于 2014-5-16 09:06 | 显示全部楼层
该文可能误导之处多了,例如末了关于“温度—阻抗—烧毁”,可以形成“上电必然烧毁”的强烈逻辑
zkybuaa 发表于 2014-5-16 09:14 来自手机 | 显示全部楼层
还有,你在3楼的部分观点是不恰当的。
1,管子在从截止到导通,是个很复杂的过程,不可避免要经过恒流区,恒流区对应到bjt就是放大区。这时候最显著特征是vgs几乎不变,甚至会降(视弥勒电容和栅源电容的比值),这就是弥勒效应。过了恒流区,才是场管的可变电阻区,对应bjt的饱和区。
当然,电流上升的趋势是对的,但绝不是可变电阻就能概括的。
2.对于感性负载的情况,如果开关速度相等,开通损耗和关断损耗是也是相等的。而实际中,我们更希望关系慢开快关,这样对EMI大有好处。所以,这点你说的和实际正好相反。
3.管子在开关状态能传输的能量,是和占空比相关的,可以说和频率没关系。你说的应该是管子只在恒流状态。

评论

你的思维发散地太厉害啦  发表于 2014-5-16 09:21
zkybuaa 发表于 2014-5-16 09:25 来自手机 | 显示全部楼层
gx_huang 发表于 2014-5-16 09:06
对这个“软开关”很感兴趣,能举一个实际例子么?
管子没有导通,如何使电压为0?
管子没有关断,如何使 ...

是这样的,场管的漏源之间寄生了一个电容,也从源漏寄生了一个二极管。这个二极管因为管子的制造工艺,是天生存在的。
问题就在这个二极管上。
如果能在管子导通之前,让这个二极管提前导通,那漏源之间不是就只有一个二极管的压降了吗?
这就是零电压导通。

零电压关断,就是让vds缓慢上升。管子关断的过程,也就是这个电压上升的过程。
零电流导通,从广义上来讲,感性负载都是零电流导通。
零电流关断,就是说在管子关断之前,里面的电流已经衰减到零。
这一切的本质,都在于场管是个压控流型器件,bjt是流控流型器件。
maychang 发表于 2014-5-16 09:26 | 显示全部楼层
zkybuaa 发表于 2014-5-16 09:14
还有,你在3楼的部分观点是不恰当的。
1,管子在从截止到导通,是个很复杂的过程,不可避免要经过恒流区, ...

“这时候最显著特征是vgs几乎不变,甚至会降”
MOS管从截止到导通,Vgs绝对不会降,无论米勒电容和门极源极电容的比值是多少。
Vgs几乎不变,是米勒效应引起的现像,但并非米勒效应。

感性负载,若“开”和“关”速度相等,开通损耗和关断损耗绝不可能相等。注意此时负载线不是直线,而是一个环。

第三点“可以说和频率没关系”,没看明白你要说什么。

评分

参与人数 1威望 +5 收起 理由
不亦心 + 5

查看全部评分

maychang 发表于 2014-5-16 09:27 | 显示全部楼层
zkybuaa 发表于 2014-5-16 09:25
是这样的,场管的漏源之间寄生了一个电容,也从源漏寄生了一个二极管。这个二极管因为管子的制造工艺,是 ...

这回,可真的是乱说了。

评论

嗯,有希望成为扯手  发表于 2014-5-16 09:34

评分

参与人数 1威望 +5 收起 理由
不亦心 + 5

查看全部评分

zkybuaa 发表于 2014-5-16 09:34 来自手机 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2014-5-16 09:26
“这时候最显著特征是vgs几乎不变,甚至会降”
MOS管从截止到导通,Vgs绝对不会降,无论米勒电容和门极源 ...

1,"由弥勒效应引起的现象,绝非弥勒效应"。我没看懂你这句话的逻辑。
2,感性负载下的电流是线性的。我没看懂电流是个环是什么意思,能描述下吗?
3.管子既然工作在开关状态,就会有占空比概念。能量只有在导通时才能传递。
zkybuaa 发表于 2014-5-16 09:35 来自手机 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2014-5-16 09:27
这回,可真的是乱说了。

哪点乱说了,请指教。
Lgz2006 发表于 2014-5-16 09:39 | 显示全部楼层
这会儿该着老chang不懂了,出局吧

MOS原理找 xukun977
MOS应用找 GavinZ
maychang 发表于 2014-5-16 09:42 | 显示全部楼层
zkybuaa 发表于 2014-5-16 09:35
哪点乱说了,请指教。

零电压开关、零电流开关等等,与MOS管中的寄生二极管没有什么关系,主要是由外部电路实现。
这个问题,说起来就太多了,而且与本帖无关。最好是到电源版面另开一帖讨论。
zkybuaa 发表于 2014-5-16 09:43 来自手机 | 显示全部楼层
Lgz2006 发表于 2014-5-16 09:39
这会儿该着老chang不懂了,出局吧

MOS原理找 xukun977

这似乎成你口头禅了。
原理不懂找xukun977
应用不懂找谁谁谁。
那我就只想找你,哈哈。

maychang说我乱说,请指出来我在本贴哪句话是在乱说,洗耳恭听。
zkybuaa 发表于 2014-5-16 09:46 来自手机 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2014-5-16 09:42
零电压开关、零电流开关等等,与MOS管中的寄生二极管没有什么关系,主要是由外部电路实现。
这个问题,说 ...

这是因为你不懂,但不能因此说我乱说。

评分

参与人数 1威望 -1 收起 理由
不亦心 -1 太年轻

查看全部评分

Lgz2006 发表于 2014-5-16 09:48 | 显示全部楼层
还有人说我反歌名呢
在那60楼,俺就出局了,就多找两个人陪陪你了
zkybuaa 发表于 2014-5-16 09:55 来自手机 | 显示全部楼层
Lgz2006 发表于 2014-5-16 09:48
还有人说我反歌名呢
在那60楼,俺就出局了,就多找两个人陪陪你了 ...

我在那个请教贴子的最后还回应你了呢。你不去回应下?

评论

回复的价值不大,俺看到+5分了,结贴了  发表于 2014-5-16 09:59
六月滴雪 发表于 2014-5-16 10:11 | 显示全部楼层
开关也有不少的学问啊!大家一定要多注意观察生活中的点点滴滴!
gx_huang 发表于 2014-5-16 11:19 | 显示全部楼层
zkybuaa 发表于 2014-5-16 09:25
是这样的,场管的漏源之间寄生了一个电容,也从源漏寄生了一个二极管。这个二极管因为管子的制造工艺,是 ...

其实我只关心实际电路,比如一个NMOS管,驱动一个电感+电阻的负载。
你说的,好像只是MOS管的内部原理,没有实际电路来实现,感觉无法解决实际电路的PWM开关损耗。
zkybuaa 发表于 2014-5-16 11:21 来自手机 | 显示全部楼层
gx_huang 发表于 2014-5-16 11:19
其实我只关心实际电路,比如一个NMOS管,驱动一个电感+电阻的负载。
你说的,好像只是MOS管的内部原理, ...

怎么没有实际电路?
你搜一下软开关技术,成熟电路一大堆。
gx_huang 发表于 2014-5-16 11:35 | 显示全部楼层
zkybuaa 发表于 2014-5-16 11:21
怎么没有实际电路?
你搜一下软开关技术,成熟电路一大堆。

我知道软开关技术,无非是利用LC谐振。
但是感觉和你描述的技术细节有些差别。
zyj9490 发表于 2014-5-17 13:04 | 显示全部楼层
可以画二个线,一个是U(t),i(t)在一个周期内,让二者相乖,(功率线),再在功率线基础上,乖以相应的维持时间,即得能量损失,在变化部分,叫开关损失,在平台部分叫导通损失,在一个周期内比较,这样,把导通电阻,切换速率,开关频率这三种参数对能量损失的关糸就一清二楚了.
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部