再问MOS的雪崩击穿评估

登录 · 发表于 2013-6-28 11:17

又遇到了MOSFET的抗雪崩击穿的问题，来请教下，看看是否能得到指点。
场景描述：MOS在电池负端起保护功能，当检测到短路负载时需要关断，并在短路后尝试恢复；
问题描述：短路尝试恢复后，MOS再次进入短路保护关闭状态的过程中，由于感性负载，MOS可能发生了雪崩击穿（可以请各位一起确认是否是雪崩击穿）；
1.雪崩击穿的这个能量怎么根据电压电流波形计算；
2.如果MOS在此时烧毁（之前损坏过内阻参数较差的器件），是否看有可能瞬间结温过高导致，如果可能，那结温又该如何计算？

我的电路模型

短路尝试恢复过程的波形

MOS参数表：

发表于 2013-6-28 12:22

雪崩击穿的这个能量, 功率管上的压降*电流*时间.
是否看有可能瞬间结温过高导致根据热量和热阻去计算. 不知道热阻, 可以模拟测量一下.

再问MOS的雪崩击穿评估

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