本帖最后由 maychang 于 2013-7-15 12:11 编辑
coolmat 发表于 2013-7-15 08:40 
请大侠详解，如何看出来的
该图横坐标为电量，纵坐标为电压。
由电容定义可知：电容充入电量与电容两端电压成正比，其比值即为电容量。
图中，一条直线即表示电压随电量的变化，直线斜率的倒数即电容量。
图中从0～1，斜率较大，表示随充入电量增加电容两端电压增加较快，即电容量较小。在这一阶段，MOS管尚未导通，处于截止区。此电容量是MOS管GS之间与GD之间电容量之和。
从1～2，斜率很小，曲线几乎是水平的，随充入电量增加电容两端电压几乎没有增加，表示电容量非常大。在1点，MOS管开始导通(可以读出开启电压为1.5V)，管子进入恒流区(放大区、饱和区)，米勒效应开始产生作用。
从2～3，斜率又变大，表示随充入电量增加电容两端电压增加较快，即电容量较小。在此阶段，MOS管进入可变电阻区(相当于BJT的饱和区)，漏极与源极之间电压变化不大，米勒效应较小，所以等效的MOS管输入电容变小。但MOS管处于可变电阻区时并非一点放大作用也没有(这一点和MOS管截止时不一样)，所以斜率比0～1阶段要小一些。
从图中可以读出对应于某一峰值驱动电压所需要的驱动电量。如红色虚线，3V峰值驱动电压需要对门极充入4.6nC(纳库)电量。
当输入电压从峰值降低到零(驱动脉冲下降沿)，输入工作点从3～2～1～0返回，电容放电，放电电量当然与充电电量相同。
这是一个驱动脉冲的充电电量，乘以频率等于除以周期，即平均充电电流，再乘以2，是充电电流与放电电流平均值(严格地说是均绝值)之和。
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