+12V为四个MOS管的栅极驱动电源。
Q1/Q2组成H桥左上桥臂推挽驱动。
当Q1/Q2的基极为高电平时，Q1导通，+12V电压经过D2、D1、Q1到达Q3栅极，Q3导通，
按H桥工作原理，Q3的对角管，就是右下脚那个MOS应开通，此时电机绕组得电运转。
当电机绕组得电时，+V压降几乎全加在电机绕组上，此时Q3的S极电势变为+V（忽略Q3自身导通压降）；
好了，这里MOS的导通栅源电压用+12V，如果+V电压比较高，打个比方+48V，则此时加在Q3的源极电压比栅极电压还要高，
Q3无法持续导通。
为了解决这个问题，引入了自举电容C2，在电机得电时，C2左则与Q3源极相连处的电势被抬高至接近+V电平，由于C2两端电压不能突变，此时Q1的集电极电压被抬升至接近12V+(+V)，同样忽略通路上的各管压降。
这样由Q1供给Q3的栅极驱动电平仍要比源极电势高出约+12V，Q3这个MOS就可以继续导通了。这个过程就是上桥栅极自举过程。
另一个管子D2就在栅极自举时，防止抬升的电压反灌回+12V电源。
楼主可以去仙童或者TI的网站上找**看看，网上搜mosfet bootstrap，啥都有。
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楼主
