STM32F429 读写SDRAM

发表于 2014-5-28 10:19

现在调试STM32F429遇到一个问题，对LCD显示缓冲区读写，采用16位模式，对偶数地址写，会影响后面奇数地址的内容（比如对偶数地址写1，后面的奇数地址也变成了1），反过来一样，对奇数地址写，会影响前面的偶数地址内容，哪位大侠给解释一下，是硬件电路问题还是软件设置问题

发表于 2014-5-28 11:20

感觉像是硬件问题。。。。

发表于 2014-5-28 11:56

板子自己画的吗？？？
参考谁的硬件啊

发表于 2014-5-28 12:19

【STM32F429开发日志】2. 外部sdram读写测试-STM32-STMCU社区,32位MCU--论坛--STMCU社区 stmcu.org
http://www.stmcu.org/bbs/article_244_587392.html

发表于 2014-5-28 12:34

板子是自己画的，参考STM32F429I-DISCORVERY，原理图相同只是走线不同了，运行在65MHz

发表于 2014-5-28 13:10

ycy9999 发表于 2014-5-28 12:34
板子是自己画的，参考STM32F429I-DISCORVERY，原理图相同只是走线不同了，运行在65MHz
...

降低速度看看

发表于 2014-5-28 15:01

降频到30M，结果一样

发表于 2014-5-28 15:23

检查有没有虚焊、短路啥的。。。。。。。

发表于 2014-5-28 16:49

若是硬件问题，哪位大神对sdram比较熟悉，大概应该查SDRAM的哪条信号线呢

发表于 2014-5-28 20:00

写一个程序对SDRAM的读写校验一下，看是否是SDRAM的问题。

发表于 2014-5-28 22:53

应该是SDRAM软件问题，执行如下代码
for(i=0;i<480000;i++)
{
      *(__IO uint16_t*) (SDRAM_BANK_ADDR + i*2) = 0xfffff;
}
for (i = 0x00; i < (600);i++ )
{
   *(__IO uint16_t*) (SDRAM_BANK_ADDR + i*1600+700) = 0;//(uint16_t)0xf800;
   *(__IO uint16_t*) (SDRAM_BANK_ADDR + i*1600+704) = 0;//(uint16_t)0xf800;
*(__IO uint16_t*) (SDRAM_BANK_ADDR + i*1600+708) = 0;//(uint16_t)0xf800;
*(__IO uint16_t*) (SDRAM_BANK_ADDR + i*1600+712) = 0;//(uint16_t)0xf800;
*(__IO uint16_t*) (SDRAM_BANK_ADDR + i*1600+716) = 0;//(uint16_t)0xf800;
*(__IO uint16_t*) (SDRAM_BANK_ADDR + i*1600+720) = 0;//(uint16_t)0xf800;
}
然后液晶屏显示如附图，按照代码应该是6条一个像素宽的竖线，但中间有的地方有点连接，
最后线是2个像素宽度，显然不正确，貌似写一个数据后若不立即再写入一个数据，后面的
数据会自动填充，哪位对STM32F429 的SDRAM操作比较精通，给个建议哦

发表于 2014-5-28 23:56

我怎么感觉像是指令错了，会不会是写字节用成写字指令了！

发表于 2014-5-29 09:09

倾向于硬件焊接问题。
以前SRAM遇到过。

发表于 2014-5-29 10:03

现象楼主描述的现象看像是低位地址短路了，实际每次取得都是同一个地址的数据

发表于 2014-5-29 10:06

建议你单步调试.每写一个字节就会更新一次显示.
软件有问题就会全部出错.可是你这里就像多写了一些数据..建议先测硬件信号稳定性

发表于 2014-5-29 10:42

问题解决，是SDRAM读写问题，SDRAM有一个突发模式，原先的设置长度为2，改为1后问题解决，希望这个问题对大家有帮助，SDRAM操作确实和SRAM不同啊，困扰了这么长时间，谢谢大家的建议

发表于 2014-5-29 17:05

我通常会把原厂的DEMO程序和芯片用户手册对比着读，比如在STM32Cube_FW_F4_V1.1.0这个软件包中，示例工程Examples\BSP中给出了SDRAM的初始化过程，在stm324x9i_eval_sdram.c中有函数BSP_SDRAM_Initialization_sequence，其中有代码如下：
/* Step 5: Program the external memory mode register */
  tmpmrd = (uint32_t)SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1       |\
                  SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL |\
                  SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3          |\
                  SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD |\
                  SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE;

  Command.CommandMode          = FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE;
  Command.CommandTarget       = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
  Command.AutoRefreshNumber    = 1;
  Command.ModeRegisterDefinition = tmpmrd;

  /* Send the command */
  HAL_SDRAM_SendCommand(&sdramHandle, &Command, SDRAM_TIMEOUT);

注意第一行就有SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1，对应手册RM0090的1641页第37.7.3节：

[STM32F4] STM32F429 读写SDRAM

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