CMOS 反相器构成的多谐振荡器的震荡频率计算

登录 · 发表于 2014-10-19 16:07

本帖最后由 airwill 于 2014-10-22 15:41 编辑

CMOS 反相器构成的多谐振荡器的电路图如下：

仿真参数如下：
R1=10k
C1=2.7n
R8 =10k
R5=10k
R4=3.5k
在multisim中仿真的输出频率为24.0861KHz。
请问通过以上电路，怎么计算出该频率？？？

发表于 2014-10-19 19:23

CMOS翻转电压按1/3，2/3的Vcc计算。

发表于 2014-10-20 13:40

好象比较复杂，应该跟电源，电路速度，输入回滞，还有 RC 参数有关。

登录 · 发表于 2014-10-21 09:21

shalixi 发表于 2014-10-19 19:23
CMOS翻转电压按1/3，2/3的Vcc计算。

COM反相器采用的是CD4069，它的手册如下：

手册上说，CD4069的最大输入低电平电压，最小输入高电平电压分别为0.2VDD，0.8VDD；

因此反转电压应该按照0.2VDD，0.8VDD计算；

发表于 2014-10-21 09:26

振荡频率的计算已经搞明白了，改天分享给大家；

PS：其实数字电路书上有详细的介绍，请查阅以下两节：

1.单稳态触发器的工作原理
2.多谐振荡器

发表于 2014-10-21 09:27

icekoor 发表于 2014-10-21 09:21
COM反相器采用的是CD4069，它的手册如下：

最大输入低电平电压，最小输入高电平电压与翻转电压是两回事，一个是确保状态的电压；一个是众数所在，是统计概念。

发表于 2014-10-21 10:51

icekoor 发表于 2014-10-21 09:21
COM反相器采用的是CD4069，它的手册如下：

6楼说得对。
在一般数字电路里，是应该按0.2VDD和0.8VDD计算。
在这个电路里，仅仅作为仿真计算的话，应该按0.5VDD来算翻转电压
实际电路里，翻转电压受器件离散性和温度等因素影响，存在于一个范围，是个统计概念

[电路/定理] CMOS 反相器构成的多谐振荡器的震荡频率计算

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