求助电路中mosfet关断时间过长的原因

登录 · 发表于 2014-12-16 19:28

我使用ucc27324驱动芯片，mos管型号为IRF530N，具体电路如下，PWM_IN由单片机产生，频率为10KHz。

我用示波器观察A,B,C处的波形发现A和B的波形正常，但是C的波形不对，应该是mos管关断时间太长导致的。请问这是什么原因，如何解决啊？
A点处波形

B点处波形

C点处波形

发表于 2014-12-16 19:39

负载电阻30千欧，你算算时间常数有多大。漏极到源极和漏极到门极电容查该管子手册。

发表于 2014-12-16 19:52

同意2L。如果把R2拿掉，R1改为30K，B点也会不好，C点更不好。

发表于 2014-12-16 20:04

maychang 发表于 2014-12-16 19:39
负载电阻30千欧，你算算时间常数有多大。漏极到源极和漏极到门极电容查该管子手册。 ...

多谢版主回复。我刚接触mosfet，这方面的东西还不是太明白。
我把负载电阻换成1k电阻后，关断时间果然变快了。我还想请教一下，如果在实际应用中确实遇到大负载的情况，有没有什么办法可以提高关断速度？

发表于 2014-12-16 21:01

ustbshen 发表于 2014-12-16 20:04
多谢版主回复。我刚接触mosfet，这方面的东西还不是太明白。
我把负载电阻换成1k电阻后，关断时间果然变 ...

不是刚接触MOSFET的问题，是电路基础问题。
负载电阻R3(原30k，后改1k)与图中C点(漏极，可能还要加上后级负载)对地电容构成一阶RC电路，C点电位升高全靠R3上拉。电容容量不容易改(分布电容)，只能改R3。R3数值越小，上升越快。一阶RC，这是电路基础课程里面的内容。

“如果在实际应用中确实遇到大负载的情况，有没有什么办法可以提高关断速度？”
好像是没有。电路理论，那是没有办法改变的。
实际工作中，往往采用推挽电路，即将R3换成另一支MOSFET，两支管子交替工作，也就是下面管子关断时上面管子导通(到饱和)，下面管子导通(到饱和)时上面管子关断。管子饱和时等效电阻非常小，从而可以大为加快转换速度。绝大部分数字电路以及很多开关电源就是这么办的。
还有一种方法，是增加一支快速二极管和一支NPN三极管，让NPN三极管起到加速作用，但实际上很少用。

发表于 2014-12-16 23:41

[电子元器件] 求助电路中mosfet关断时间过长的原因

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