三极管开启时间计算

发表于 2014-12-27 20:32

各位大神，
看了下MOS的开启时间很快，10多NS的样子。G极电容为NF级，用规格书里提供的开启条件计算，差不多就是充电电流把输入电容充满的时刻MOS管就开启了。
再看了下BJT的开启时间。没看到输入电容。我看的是13003的开启时间，给出的是4US的样子。三极管的输入电容应该比MOS要小吧。看样子开启BE极后还没有完全启动BJT，还需要时间。
都说三极管工作速度快，从这方面看貌似没有优势。
请大侠拍砖，感谢！

发表于 2014-12-27 21:11

晶体三极管自然也有输入的 BE 级电容.
13003 是达林顿管, 自然会慢一些. 三极管的优势在于电流控制的电流源. 理论上讲速度上面应该优于 MOS 的场效应管. 所以在高频电路里, 高速的集成电路还是大都采用双极型晶体管.

发表于 2014-12-27 21:18

13003不是达林顿管。。。

楼主比较的对象不明确、恰当。

发表于 2014-12-27 21:25

airwill 发表于 2014-12-27 21:11
晶体三极管自然也有输入的 BE 级电容.
13003 是达林顿管, 自然会慢一些. 三极管的优势在于电流控制的电流源 ...

多谢大侠，
13003是开关管，不是达林顿管。
可能三极管的速度快体现其在已经开启后进入某个区域的速度快吧。。。。

发表于 2014-12-27 23:22

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发表于 2014-12-28 07:59

多子/少子的特点使然。

发表于 2014-12-28 09:50

mos管2n7002开关速度ton=10ns，toff=15ns
bjt管2n3904开关速度ton=65ns, toff=240ns.
mos管开关速度有优势。

发表于 2014-12-28 11:06

magic_yuan 发表于 2014-12-27 21:25
多谢大侠，
13003是开关管，不是达林顿管。
可能三极管的速度快体现其在已经开启后进入某个区域的速 ...

俺又没表达准确，嗯，是说你比较的对象不具体，不合适。

ST的射频FET功率管可以达到8G以上···

发表于 2014-12-28 20:47

提示: 该帖被管理员或版主屏蔽

发表于 2014-12-29 08:47

magic_yuan 发表于 2014-12-27 21:25
多谢大侠，
13003是开关管，不是达林顿管。
可能三极管的速度快体现其在已经开启后进入某个区域的速 ...

同感：BJT速度快体现在导通后进入放大区内速度快吧。都说BJT三极管工作速度快于MOS管。如此看来有些矛盾。“多子、少子”具体如何解释？愿闻其详。

发表于 2014-12-29 09:08

三极管的开关速度与MOS当然不一数数量级的，三极管可以轻松做到百M以上，上G也是常见的，用来做开关管根本不用考滤时间问题。你用驱动MOS的驱动电流来驱动三极管就可比较出来了(要注意电压控制、电流控制哦)。至于很多人说三极管不快，哪是因为外围的输入、输出阻抗设计匹配造成的。

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